Everspin Technologies, Inc. kündigt Änderungen in der Geschäftsführung an
Am 01. April 2022 um 12:11 Uhr
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Der Verwaltungsrat von Everspin Technologies, Inc. hat Tara Long und Glen Hawk mit sofortiger Wirkung zu Mitgliedern des Verwaltungsrats gewählt. Der Vorstand hat außerdem Frau Long mit sofortiger Wirkung zum Mitglied des Prüfungsausschusses, des Nominierungs- und Corporate Governance-Ausschusses und des Vergütungsausschusses ernannt und Herrn Hawk zum Mitglied des Prüfungsausschusses und des Vergütungsausschusses ernannt. Es gibt keine Vereinbarung oder Absprache zwischen Frau Long und einer anderen Person, aufgrund derer sie als Direktorin ausgewählt wurde, und es gibt keine Vereinbarung oder Absprache zwischen Herrn Hawk und einer anderen Person, aufgrund derer er als Direktor ausgewählt wurde.
Weder Frau Long noch Herr Hawk haben ein direktes oder indirektes wesentliches Interesse an einer Transaktion, die gemäß Artikel 404(a) der Regulation S-K des Securities Exchange Act von 1934 in der jeweils gültigen Fassung offengelegt werden muss. Darüber hinaus hat Michael B. Gustafson das Unternehmen am 28. März 2022 über seine Entscheidung informiert, sich bei der Jahreshauptversammlung 2022 des Unternehmens, die derzeit für den 25. Mai 2022 geplant ist, nicht zur Wiederwahl in den Vorstand zu stellen. Die Entscheidung von Herrn Gustafson, aus dem Verwaltungsrat auszuscheiden, ist nicht das Ergebnis einer Meinungsverschiedenheit mit dem Unternehmen in Bezug auf die Geschäftstätigkeit, die Politik oder die Praktiken des Unternehmens.
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Rechtliche Hinweise
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Everspin Technologies, Inc. ist ein Anbieter von magnetoresistiven Random-Access-Memory (MRAM) Lösungen. Die MRAM-Lösungen des Unternehmens bieten einen nichtflüchtigen Speicher mit der Geschwindigkeit und Ausdauer eines Random-Access-Speichers (RAM) und ermöglichen den Schutz unternehmenskritischer Daten, insbesondere im Falle einer Stromunterbrechung oder eines Stromausfalls. Das Portfolio an MRAM-Technologien umfasst Toggle MRAM und Spin-transfer Torque MRAM (STT-MRAM). Die Toggle-MRAM-Produkte verfügen über Schnittstellen nach Industriestandard, darunter Parallel-, Serial Peripheral Interface (SPI) und Quad SPI (QSPI) Schnittstellen. Die STT-MRAM-Technologie des Unternehmens liefert Produkte für dynamische Direktzugriffsspeicher (DRAM), SRAM und NOR Flash-Anwendungen. Das Unternehmen bietet seine Produkte mit DDR3- und DDR4-Derivat-Schnittstellen an, wodurch der Ersatz von batteriegestütztem DRAM durch STT-MRAM erleichtert wird. Seine 3D-Tunnelmagnetowiderstandssensoren (TMR) bieten eine hohe magnetische Empfindlichkeit in einer einzigen Komponente, die 3D-Magnetfeldmessungen in einer monolithischen Lösung durchführt.