Everspin Technologies, Inc. meldet Ergebnis für das dritte Quartal und die neun Monate bis zum 30. September 2023
Am 01. November 2023 um 21:05 Uhr
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Everspin Technologies, Inc. meldete die Ergebnisse für das dritte Quartal und die neun Monate bis zum 30. September 2023. Für das dritte Quartal meldete das Unternehmen einen Umsatz von 16,47 Millionen USD gegenüber 15,24 Millionen USD vor einem Jahr. Der Nettogewinn belief sich auf 2,44 Millionen USD gegenüber 1,91 Millionen USD vor einem Jahr. Der unverwässerte Gewinn je Aktie aus fortgeführten Geschäftsbereichen betrug 0,12 USD gegenüber 0,09 USD im Vorjahr. Der verwässerte Gewinn pro Aktie aus fortzuführenden Geschäftsbereichen lag bei 0,11 USD gegenüber 0,09 USD im Vorjahr. In den ersten neun Monaten betrug der Umsatz 47,06 Mio. USD gegenüber 44,3 Mio. USD vor einem Jahr. Der Nettogewinn belief sich auf 7,08 Millionen USD gegenüber 5,51 Millionen USD vor einem Jahr. Der unverwässerte Gewinn pro Aktie aus den fortzuführenden Geschäftsbereichen belief sich auf 0,34 USD gegenüber 0,27 USD vor einem Jahr. Der verwässerte Gewinn pro Aktie aus den fortzuführenden Geschäftsbereichen belief sich auf 0,33 USD gegenüber 0,27 USD vor einem Jahr.
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Everspin Technologies, Inc. ist ein Anbieter von magnetoresistiven Random-Access-Memory (MRAM) Lösungen. Die MRAM-Lösungen des Unternehmens bieten einen nichtflüchtigen Speicher mit der Geschwindigkeit und Ausdauer eines Random-Access-Speichers (RAM) und ermöglichen den Schutz unternehmenskritischer Daten, insbesondere im Falle einer Stromunterbrechung oder eines Stromausfalls. Das Portfolio an MRAM-Technologien umfasst Toggle MRAM und Spin-transfer Torque MRAM (STT-MRAM). Die Toggle-MRAM-Produkte verfügen über Schnittstellen nach Industriestandard, darunter Parallel-, Serial Peripheral Interface (SPI) und Quad SPI (QSPI) Schnittstellen. Die STT-MRAM-Technologie des Unternehmens liefert Produkte für dynamische Direktzugriffsspeicher (DRAM), SRAM und NOR Flash-Anwendungen. Das Unternehmen bietet seine Produkte mit DDR3- und DDR4-Derivat-Schnittstellen an, wodurch der Ersatz von batteriegestütztem DRAM durch STT-MRAM erleichtert wird. Seine 3D-Tunnelmagnetowiderstandssensoren (TMR) bieten eine hohe magnetische Empfindlichkeit in einer einzigen Komponente, die 3D-Magnetfeldmessungen in einer monolithischen Lösung durchführt.
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