Everspin Technologies, Inc. kündigt die Erweiterung seiner industriellen STT-MRAM-Produktfamilie mit hoher Speicherdichte, der EMxxLX, an. Das EMxxLX-Produkt, das letztes Jahr angekündigt wurde, ist der leistungsstärkste heute verfügbare persistente Speicher. Er eignet sich ideal für elektronische Systeme, bei denen Datenpersistenz und -integrität, geringer Stromverbrauch, niedrige Latenz und Sicherheit an erster Stelle stehen, wie z.B. industrielles IoT, Netzwerk-/Unternehmensinfrastruktur, Prozessautomatisierung und -steuerung, Luftfahrt/Avionik, Medizin, Spiele und FPGA-Konfiguration.

Die branchenweit erste serielle xSPI-Schnittstelle, die auf Everspins einzigartiger STT-MRAM-Technologie basiert, ist der einzige im Handel erhältliche persistente Speicher mit einer vollen Lese- und Schreibbandbreite von 400 Megabyte pro Sekunde über acht I/O-Signale mit einer Taktfrequenz von 200 MHz. Die neue, erweiterte EMxxLX-Bausteinfamilie bietet die höchste Kombination aus Leistung, Ausdauer und Speicherfähigkeit und ist jetzt in Dichten von 4 bis 64 Megabit mit neuen, kleineren Gehäusen für die Produkte mit 4 bis 16 Megabit erhältlich. Das neue 5 mm x 6 mm große DFN-Gehäuse bedeutet eine Flächeneinsparung von 37 % gegenüber dem bisherigen Angebot.

Neben der neuen Kapazität und dem kleineren Gehäuse bietet Everspin bei den EMxxLX-Produkten auch einen erweiterten Temperaturbereich von -40°C bis 105°C. Die EMxxLX-Familie kann alternative Lösungen wie SRAM, BBSRAM, FRAM, NVSRAM und NOR-Flash-Bausteine ersetzen. Everspin testet jetzt die 4Mb-Kapazitätsoption mit dem kleineren DFN-Gehäuse und plant die Produktion für das erste Quartal 2024. Die Optionen mit 8Mb bis 64Mb Kapazität und dem erweiterten Temperaturbereich sind ab sofort für Produktionsaufträge verfügbar.