Weebit Nano Limited gab bekannt, dass es zusammen mit CEA-Leti seine eingebettete Resistive Random-Access Memory (ReRAM) Technologie auf 22nm - einen der gängigsten Prozessknoten der Branche - skaliert. Die beiden Unternehmen entwickeln ein komplettes IP-Speichermodul, das einen Multi-Megabit-ReRAM-Block integriert und auf einen fortschrittlichen 22nm Fully Depleted Silicon On Insulator (FDSOI)-Prozess abzielt. Die ersten Siliziumwafer von Weebit, in die das eingebettete ReRAM-Modul bei 130 nm integriert ist, haben positive erste Testergebnisse gezeigt, und das Unternehmen hat erfolgreich Produktionsparameter bei 28 nm demonstriert. Mit einer soliden Bilanz beschleunigt Weebit nun seine Entwicklungspläne, um seine Technologie auf Prozessknoten zu skalieren, bei denen die bestehende Embedded Flash-Technologie nicht mehr rentabel ist.