Weebit skaliert zusammen mit Cea-Leti seine Reram-Technologie auf 22Nm herunter
Am 14. März 2022 um 22:45 Uhr
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Weebit Nano Limited gab bekannt, dass es zusammen mit CEA-Leti seine eingebettete Resistive Random-Access Memory (ReRAM) Technologie auf 22nm - einen der gängigsten Prozessknoten der Branche - skaliert. Die beiden Unternehmen entwickeln ein komplettes IP-Speichermodul, das einen Multi-Megabit-ReRAM-Block integriert und auf einen fortschrittlichen 22nm Fully Depleted Silicon On Insulator (FDSOI)-Prozess abzielt. Die ersten Siliziumwafer von Weebit, in die das eingebettete ReRAM-Modul bei 130 nm integriert ist, haben positive erste Testergebnisse gezeigt, und das Unternehmen hat erfolgreich Produktionsparameter bei 28 nm demonstriert. Mit einer soliden Bilanz beschleunigt Weebit nun seine Entwicklungspläne, um seine Technologie auf Prozessknoten zu skalieren, bei denen die bestehende Embedded Flash-Technologie nicht mehr rentabel ist.
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Weebit Nano Ltd. ist ein in Australien ansässiger Entwickler von fortschrittlicher Halbleiterspeichertechnologie. Das Unternehmen befasst sich mit der Entwicklung nichtflüchtiger Speicher unter Verwendung einer Resistive RAM (ReRAM)-Technologie, die auf fabrikationsfreundlichen Materialien basiert. Die ReRAM-Technologie bietet leistungsfähigere und stromsparende Speicherlösungen für eine Reihe neuer elektronischer Produkte, wie z.B. Geräte für das Internet der Dinge (IoT), Smartphones, Robotik, autonome Fahrzeuge, Kommunikation der fünften Generation (5G) und künstliche Intelligenz. Die Demo-Chips des Unternehmens, die als System auf einem Chip (SoC) konzipiert sind, bieten den Kunden physische Muster der ReRAM-Speichertechnologie in funktionsfähigen Chips. Die Demo-Chips ermöglichen es den Kunden auch, die Speichertechnologie in ihre Produktdesigns zu integrieren.