Everspin Technologies stellt Persyst vor und vereinfacht Lösungen für persistente Speicher
Am 09. April 2024 um 07:02 Uhr
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Everspin Technologies, Inc. gab den neuen Markennamen PERSYST für seine Produktfamilie der persistenten Speicher bekannt. Die Initiative von Everspin zur Vereinfachung der Produktidentifikation über die herkömmlichen alphanumerischen Bezeichnungen hinaus verspricht, den Kunden die Auswahl der richtigen Lösungen zu erleichtern. Die älteren parallelen und seriellen Toggle-MRAM-Produkte des Unternehmens, 1Gb ST-DDR4 und das neue EMxxLX xSPI Industrial STT-MRAM werden unter der Marke PERSYST geführt.
Die PERSYST-Produktfamilie steht für die einzigartige Kombination von RAM-ähnlicher Geschwindigkeit und Latenzzeit mit Non-Volatility. Mit praktisch unbegrenzter Ausdauer bietet PERSYST die Geschwindigkeit und Ausdauer, um kritische Daten kontinuierlich zu erfassen. Es eignet sich perfekt für den Einsatz in einer Vielzahl von Branchen, wie z.B. Automatisierung, Robotik, Netzwerke, Datenspeicherung, KI, Gesundheitswesen, Spiele und FPGA.
Everspin ist auf der Embedded World 2024 in Nürnberg mit einem neuen Stand vertreten, der statische Demonstrationen der EMxxLX PERSYST-Produkte bietet. Dazu gehören eine STM32-basierte Demonstration und ein vergleichendes Benchmarking von EMxxLX mit NOR-Flash. Everspin wird auch mit Synaptic Labs zusammenarbeiten, um die Integration von EMxxLX mit dem xSPI-Controller auf einem FPGA-Evaluierungsboard zu zeigen.
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Everspin Technologies, Inc. ist ein Anbieter von magnetoresistiven Random-Access-Memory (MRAM) Lösungen. Die MRAM-Lösungen des Unternehmens bieten einen nichtflüchtigen Speicher mit der Geschwindigkeit und Ausdauer eines Random-Access-Speichers (RAM) und ermöglichen den Schutz unternehmenskritischer Daten, insbesondere im Falle einer Stromunterbrechung oder eines Stromausfalls. Das Portfolio an MRAM-Technologien umfasst Toggle MRAM und Spin-transfer Torque MRAM (STT-MRAM). Die Toggle-MRAM-Produkte verfügen über Schnittstellen nach Industriestandard, darunter Parallel-, Serial Peripheral Interface (SPI) und Quad SPI (QSPI) Schnittstellen. Die STT-MRAM-Technologie des Unternehmens liefert Produkte für dynamische Direktzugriffsspeicher (DRAM), SRAM und NOR Flash-Anwendungen. Das Unternehmen bietet seine Produkte mit DDR3- und DDR4-Derivat-Schnittstellen an, wodurch der Ersatz von batteriegestütztem DRAM durch STT-MRAM erleichtert wird. Seine 3D-Tunnelmagnetowiderstandssensoren (TMR) bieten eine hohe magnetische Empfindlichkeit in einer einzigen Komponente, die 3D-Magnetfeldmessungen in einer monolithischen Lösung durchführt.