Transphorm, Inc. stellt drei SuperGaN-FETs in TOLL-Gehäusen mit On-Widerständen von 35, 50 und 72 Milliohm vor. Die TOLL-Gehäusekonfiguration von Transphorm ist ein Industriestandard, d.h. die SuperGaN TOLL-FETs können als Drop-in-Ersatz für jede e-mode TOLL-Lösung verwendet werden. Die neuen Bauelemente bieten außerdem die bewährte dynamische Hochspannungs-Zuverlässigkeit (Schaltwiderstand) von Transphorm, die bei führenden e-mode GaN-Produkten auf Foundry-Basis in der Regel nicht gegeben ist. Die drei oberflächenmontierbaren Bauelemente (SMDs) unterstützen Anwendungen mit höherer Leistung, die in einem durchschnittlichen Bereich von 1 bis 3 Kilowatt arbeiten.

Diese Leistungssysteme finden sich typischerweise in Hochleistungssegmenten wie Computer (KI, Server, Telekommunikation, Rechenzentren), Energie und Industrie (PV-Wechselrichter, Servomotoren) und anderen breit gefächerten Industriemärkten, die zusammen einen derzeitigen weltweiten GaN-TAM von 2,5 Mrd. $ aufweisen. Insbesondere sind die FETs optimale Lösungen für die schnell wachsenden KI-Systeme von heute, die auf GPUs angewiesen sind, welche die 10- bis 15-fache Leistung herkömmlicher CPUs benötigen. Die Hochleistungs-GaN-Bauelemente von Transphorm werden bereits in großem Umfang an führende Kunden geliefert, die sie zur Stromversorgung von Hochleistungssystemen in der Produktion einsetzen, darunter Netzteile für Rechenzentren, Hochleistungs-Netzteile für Spiele, USVs und Mikrowechselrichter.

Wie alle Produkte von Transphorm nutzen auch die TOLL-Bausteine die inhärenten Leistungs- und Zuverlässigkeitsvorteile, die durch die d-mode SuperGaN-Plattform im Normalbetrieb ermöglicht werden. Eine detaillierte Wettbewerbsanalyse zwischen SuperGaN und e-mode GaN finden Sie im neuesten White Paper des Unternehmens mit dem Titel The fundamental Advantages of d-Mode GaN in Cascode Configuration. Die Schlussfolgerung des Whitepapers deckt sich mit einem Anfang des Jahres veröffentlichten direkten Vergleich, der zeigt, dass die 72-Milliohm-SuperGaN-FETs die größeren 50-Milliohm-E-Mode-Bauelemente in einem handelsüblichen 280-W-Gaming-Laptop-Ladegerät übertreffen.

SuperGaN-Bauteile sind auf dem Markt führend mit unübertroffener: Zuverlässigkeit bei < 0,03 FIT; Gate-Sicherheitsspanne bei +- 20 V; Rauschunempfindlichkeit bei 4 V; Temperaturkoeffizient des Widerstands (TCR) um 20% niedriger als bei E-Mode; Antriebsflexibilität mit Standardtreibern und Schutzschaltungen, die in siliziumbasierten Controllern/Treibern leicht verfügbar sind. Geräte-Spezifikationen: Die robusten 650 V SuperGaN TOLL-Bausteine sind JEDEC-qualifiziert. Da die normally-off d- mode Plattform den GaN HEMT mit einem Niederspannungs-Silizium-MOSFET paart, lassen sich die SuperGaN FETs leicht mit handelsüblichen Gate-Treibern ansteuern.

Sie können in verschiedenen hart und weich schaltenden AC-to-DC-, DC-to-DC- und DC-to-AC-Topologien eingesetzt werden, um die Leistungsdichte zu erhöhen und gleichzeitig die Größe, das Gewicht und die Gesamtkosten des Systems zu reduzieren.