Transphorm, Inc. kündigt die Verfügbarkeit von zwei neuen SuperGaN®?-Bauelementen in einem 4-poligen TO-247-Gehäuse (TO-247-4L) an. Die neuen FETs TP65H035G4YS und TP65H050G4YS bieten einen Einschaltwiderstand von 35 mOhm bzw. 50 mOhm und sind mit einem Kelvin-Source-Anschluss ausgestattet, der den Kunden vielseitige Schaltmöglichkeiten bei noch geringeren Energieverlusten bietet.

Die neuen Produkte werden mit dem etablierten GaN-on-Silicon-Substrat-Herstellungsprozess von Transphorm gefertigt, der kostengünstig und zuverlässig ist und sich gut für die Massenproduktion auf Silizium-Produktionslinien eignet. Der 50 mOhm TP65H050G4ys FET ist derzeit verfügbar, während der 35 mOhm TP65H035G4ys FET derzeit bemustert wird und im ersten Quartal 2024 auf den Markt kommen soll. Die 4-poligen SuperGaN-Bauelemente von Transphorm können als originale Design-in-Option oder als Drop-in-Ersatz für 4-polige Silizium- und SiC-Lösungen dienen, die Stromversorgungen mit einer Leistung von 1 Kilowatt und mehr in einer Vielzahl von Rechenzentren, erneuerbaren Energien und breiten industriellen Anwendungen unterstützen.

Wie bereits erwähnt, bietet die 4-Leiter-Konfiguration den Anwendern Flexibilität für eine weiter verbesserte Schaltleistung. In einem hart geschalteten synchronen Aufwärtswandler reduzierte der SuperGaN 4-Leiter-FET mit 35 mOhm die Verluste um 15% bei 50 Kilohertz (kHz) und um 27% bei 100 kHz im Vergleich zu einem SiC-MOSFET mit einem vergleichbaren Durchlasswiderstand. Die SuperGaN-FETs von Transphorm sind dafür bekannt, dass sie entscheidende Vorteile bieten, wie z.B.: Branchenführende Robustheit mit einer Gate-Schwelle von +/- 20 V und einer Störfestigkeit von 4 V.

Einfachere Designbarkeit durch Verringerung des Schaltungsaufwands um das Bauteil herum. Einfachere Ansteuerbarkeit, da die FETs mit bekannten, handelsüblichen Treibern kombiniert werden können, die für Silizium-Bauelemente üblich sind. Die TO-247-4L-Bausteine bieten dieselbe Robustheit, Designfähigkeit und Ansteuerbarkeit mit den folgenden Kernspezifikationen: Teilenummer: Vds (V) min; Rds(on) (mO) typ; Vth (V) typ; ID (25degC) (A) max; Gehäuse Variation.TP65H035G4YS: TP65H035G4Y: 650 mOhm.

650 mOhm.