IntelliEPI Inc. (Cayman) meldet Gewinnergebnisse für das dritte Quartal und die neun Monate bis zum 30. September 2023
November 08, 2023
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IntelliEPI Inc. (Cayman) meldete die Ergebnisse für das dritte Quartal und die neun Monate bis zum 30. September 2023. Für das dritte Quartal meldete das Unternehmen einen Umsatz von TWD 203,81 Millionen im Vergleich zu TWD 211 Millionen vor einem Jahr. Der Nettogewinn betrug 44,57 Millionen TWD gegenüber 22,36 Millionen TWD vor einem Jahr. Der unverwässerte Gewinn je Aktie aus dem fortgeführten Geschäft betrug 1,22 TWD gegenüber 0,62 TWD vor einem Jahr. Der verwässerte Gewinn je Aktie aus fortgeführten Geschäftsbereichen betrug 1,22 TWD gegenüber 0,61 TWD vor einem Jahr. Der unverwässerte Gewinn je Aktie betrug 1,22 TWD gegenüber 0,62 TWD vor einem Jahr. Der verwässerte Gewinn pro Aktie betrug 1,22 TWD im Vergleich zu 0,61 TWD vor einem Jahr. In den ersten neun Monaten betrug der Umsatz 489,58 Millionen TWD gegenüber 681,84 Millionen TWD vor einem Jahr. Der Nettogewinn betrug 24,76 Millionen TWD gegenüber 124,48 Millionen TWD vor einem Jahr. Der unverwässerte Gewinn je Aktie aus dem fortgeführten Geschäft betrug 0,68 TWD gegenüber 3,43 TWD im Vorjahr. Der verwässerte Gewinn je Aktie aus fortgeführten Geschäftsbereichen betrug 0,68 TWD gegenüber 3,4 TWD vor einem Jahr. Der unverwässerte Gewinn pro Aktie betrug TWD 0,68 gegenüber TWD 3,43 vor einem Jahr. Der verwässerte Gewinn pro Aktie betrug TWD 0,68 gegenüber TWD 3,4 vor einem Jahr.
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IntelliEPI Inc. (Cayman) ist eine auf den Kaimaninseln ansässige Holdinggesellschaft von Intelligent Epitaxy Technology, Inc. Das Unternehmen liefert auf Epitaxie basierende Verbindungshalbleiter-EPI-Wafer an die Elektronik- und Optoelektronikindustrie. Es bietet seinen Kunden eine Vielzahl von elektronischen und optoelektronischen EPI-Strukturen, die auf Galliumarsenid (GaAs) und Indiumphosphid (InP) gewachsen sind. Seine GaAs-basierten Produkte umfassen PHEMT (AlAs, InGaP Etch Stop) und MHEMT. Zu den Produkten auf InP-Basis gehören HBT (C-dotiert, Be-dotiert, GaAsSb), HEMT, RTT und RTD. Die Produkte auf Sb-Basis umfassen SLS-Photodetektoren vom Typ II, InP-HBT auf GaAsSb-Basis und EPI-fähige GaSb-Substrate. Zu den opto-elektronischen Produkten gehören Avalanche Photo Diode (APD), Laser (750 nm bis 1100 nm), VCSEL, PIN (GaAs, InP), QWIP, Modulatoren und Quantenkaskadenlaser. Das Unternehmen nutzt seine Technologie zur In-situ-Wachstumsüberwachung in Echtzeit auf Molekularstrahlepitaxie-Anlagen (MBE) für die Herstellung von EPI-Wafern auf GaAs und InP-Substraten.