IntelliEPI Inc. (Cayman) meldet Ergebnis für das zweite Quartal und die sechs Monate bis zum 30. Juni 2022
Am 25. August 2022 um 01:57 Uhr
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IntelliEPI Inc. (Cayman) hat die Ergebnisse für das zweite Quartal und die sechs Monate bis zum 30. Juni 2022 veröffentlicht. Für das zweite Quartal meldete das Unternehmen einen Umsatz von TWD 250,89 Millionen, verglichen mit TWD 189,4 Millionen vor einem Jahr. Der Nettogewinn betrug 60,03 Millionen TWD gegenüber 25,35 Millionen TWD vor einem Jahr. Der unverwässerte Gewinn je Aktie aus dem fortgeführten Geschäft betrug 1,65 TWD gegenüber 0,71 TWD im Vorjahr. Der verwässerte Gewinn je Aktie aus fortgeführten Geschäftsbereichen betrug 1,65 TWD gegenüber 0,71 TWD vor einem Jahr. Der unverwässerte Gewinn je Aktie betrug 1,65 TWD gegenüber 0,71 TWD vor einem Jahr. Der verwässerte Gewinn pro Aktie betrug 1,65 TWD im Vergleich zu 0,71 TWD vor einem Jahr. In den sechs Monaten betrug der Umsatz 470,84 Millionen TWD gegenüber 341,38 Millionen TWD vor einem Jahr. Der Nettogewinn betrug 102,12 Millionen TWD gegenüber 27,27 Millionen TWD vor einem Jahr. Der unverwässerte Gewinn pro Aktie aus dem fortgeführten Geschäft betrug 2,81 TWD gegenüber 0,76 TWD im Vorjahr. Der verwässerte Gewinn je Aktie aus fortgeführten Geschäftsbereichen betrug 2,8 TWD gegenüber 0,76 TWD vor einem Jahr. Der unverwässerte Gewinn pro Aktie betrug TWD 2,81 gegenüber TWD 0,76 vor einem Jahr. Der verwässerte Gewinn pro Aktie betrug TWD 2,8 gegenüber TWD 0,76 vor einem Jahr.
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IntelliEPI Inc. (Cayman) ist eine auf den Kaimaninseln ansässige Holdinggesellschaft von Intelligent Epitaxy Technology, Inc. Das Unternehmen liefert auf Epitaxie basierende Verbindungshalbleiter-EPI-Wafer an die Elektronik- und Optoelektronikindustrie. Es bietet seinen Kunden eine Vielzahl von elektronischen und optoelektronischen EPI-Strukturen, die auf Galliumarsenid (GaAs) und Indiumphosphid (InP) gewachsen sind. Seine GaAs-basierten Produkte umfassen PHEMT (AlAs, InGaP Etch Stop) und MHEMT. Zu den Produkten auf InP-Basis gehören HBT (C-dotiert, Be-dotiert, GaAsSb), HEMT, RTT und RTD. Die Produkte auf Sb-Basis umfassen SLS-Photodetektoren vom Typ II, InP-HBT auf GaAsSb-Basis und EPI-fähige GaSb-Substrate. Zu den opto-elektronischen Produkten gehören Avalanche Photo Diode (APD), Laser (750 nm bis 1100 nm), VCSEL, PIN (GaAs, InP), QWIP, Modulatoren und Quantenkaskadenlaser. Das Unternehmen nutzt seine Technologie zur In-situ-Wachstumsüberwachung in Echtzeit auf Molekularstrahlepitaxie-Anlagen (MBE) für die Herstellung von EPI-Wafern auf GaAs und InP-Substraten.