Everspin Technologies, Inc. gibt die kommerzielle Verfügbarkeit seiner EMxxLX STT-MRAM-Bausteine bekannt
Am 02. November 2022 um 12:00 Uhr
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Everspin Technologies, Inc. gab bekannt, dass seine neueste STT-MRAM-Produktfamilie mit hoher Speicherdichte, die EMxxLX, jetzt im Handel erhältlich ist. Die EMxxLX-Technologie, die Anfang dieses Jahres angekündigt wurde, ist der leistungsstärkste heute verfügbare persistente Speicher. Sie eignet sich ideal für den Einsatz in elektronischen Systemen, bei denen Datenpersistenz und -integrität, geringer Stromverbrauch, niedrige Latenz und Sicherheit an erster Stelle stehen, wie z.B. in den Bereichen industrielles IoT, Netzwerk- und Unternehmensinfrastruktur, Prozessautomatisierung und -steuerung, Luftfahrt/Avionik, Medizin, Spiele und FPGA-Konfigurationen.
Der EMxxLX bietet die erste serielle xSPI-Schnittstelle der Branche, die auf der einzigartigen STT-MRAM-Technologie von Everspin basiert. Es ist der einzige im Handel erhältliche persistente Speicher mit einer vollen Lese- und Schreibbandbreite von 400 Megabyte pro Sekunde über acht I/O-Signale mit einer Taktfrequenz von 200 MHz. Die stromsparende Familie von Bausteinen bietet die höchste verfügbare Kombination aus Leistung, Ausdauer und Speicherung und wird in Speicherdichten von 8 bis 64 Megabit angeboten.
Die EMxxLX-Familie kann alternative Lösungen wie SRAM, BBSRAM, FRAM, NVSRAM und NOR-Flash-Bausteine ersetzen. Die STT-MRAM-Technologie ist weniger anfällig für die Auswirkungen von Strahlung als andere dauerhafte Speicher. Die EMxxLX-Produktfamilie eignet sich aufgrund ihrer hohen Zuverlässigkeit, ausgezeichneten Ausdauer und schnellen Schreibgeschwindigkeiten für Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt.
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Everspin Technologies, Inc. ist ein Anbieter von magnetoresistiven Random-Access-Memory (MRAM) Lösungen. Die MRAM-Lösungen des Unternehmens bieten einen nichtflüchtigen Speicher mit der Geschwindigkeit und Ausdauer eines Random-Access-Speichers (RAM) und ermöglichen den Schutz unternehmenskritischer Daten, insbesondere im Falle einer Stromunterbrechung oder eines Stromausfalls. Das Portfolio an MRAM-Technologien umfasst Toggle MRAM und Spin-transfer Torque MRAM (STT-MRAM). Die Toggle-MRAM-Produkte verfügen über Schnittstellen nach Industriestandard, darunter Parallel-, Serial Peripheral Interface (SPI) und Quad SPI (QSPI) Schnittstellen. Die STT-MRAM-Technologie des Unternehmens liefert Produkte für dynamische Direktzugriffsspeicher (DRAM), SRAM und NOR Flash-Anwendungen. Das Unternehmen bietet seine Produkte mit DDR3- und DDR4-Derivat-Schnittstellen an, wodurch der Ersatz von batteriegestütztem DRAM durch STT-MRAM erleichtert wird. Seine 3D-Tunnelmagnetowiderstandssensoren (TMR) bieten eine hohe magnetische Empfindlichkeit in einer einzigen Komponente, die 3D-Magnetfeldmessungen in einer monolithischen Lösung durchführt.