AIXTRON SE nachhaltigen Siliziumkarbid-Lieferkette in Europa im Rahmen des EU-Projekts TRANSFORM
DGAP-Media / 08.12.2021 / 11:07
EU-Projekt TRANSFORM: AIXTRON treibt die grüne Wirtschaft voran
Aufbau einer nachhaltigen Siliziumkarbid-Lieferkette in Europa im Rahmen des
EU-Projekts TRANSFORM / Zusammenarbeit von 34 führenden Spezialisten der
SiC-Technologie / Energieeinsparung von bis zu 30% erwartet
Herzogenrath, 8. Dezember 2021 -AIXTRON SE (FSE: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) ist
Partner des EU-Zukunftsvorhabens "TRANSFORM - Trusted European SiC Value Chain
for a greener Economy". Das von der EU und nationalen Förderbehörden
finanzierte Forschungs- und Entwicklungsprojekt treibt die Erstellung einer
wettbewerbsfähigen europäischen Lieferkette für Leistungselektronik auf Basis
der Siliziumkarbid (SiC)-Halbleitertechnologie innerhalb der nächsten drei
Jahre voran. Dazu arbeiten die 34 wichtigsten europäischen Experten im Bereich
Siliziumkarbid-Technologie aus sieben EU-Ländern zusammen.
Die Lieferkette soll Europa zuverlässig mit Siliziumkarbid-Komponenten und
-Systemen versorgen. Die europäische Wertschöpfungskette reicht von Substraten
bis hin zu Energiewandlern wie Transistoren oder Module. Ebenfalls Teil dieser
Wertschöpfungskette ist nicht zuletzt die notwendige industrielle
Halbleiterproduktionstechnik wie produktionserprobte CVD-Systeme (Chemical
Vapor Deposition) mit hoher Ausbeute.
SiC-Technologie der nächsten Generation
AIXTRON übernimmt bei dem Zukunftsvorhaben als einer der weltweit führenden
Anbieter von CVD-Produktionstechnologie zur Herstellung von SiC-Schichten für
die Leistungselektronik Aufgaben wie die weitere Verbesserung der
CVD-Depositionstechnologie für Siliziumkarbid. Dazu gehört die Entwicklung
einer Technologie zur gleichzeitigen CVD-Beschichtung von mehreren 200
mm-SiC-Substraten und einer CVD-Anlagentechnologie für Smart Cut SiC-Substrate.
Das technologische Verfahren Smart Cut ermöglicht die Übertragung sehr feiner
und dünner Schichten aus kristallinem Siliziumkarbidmaterial auf einen Träger
(Substrat).
Eine leistungsstarke industrielle CVD-Anlage zur Abscheidung von Siliziumkarbid
ist Dreh- und Angelpunkt bei der gemeinsam von den Projektpartnern zu
entwickelnden Siliziumkarbid-Technologie der nächsten Generation. Die
Anwendungsmöglichkeiten und die Nachfrage nach SiC-Technologie sind sehr groß
und reichen von industriellen Antrieben und Energieumwandlung über erneuerbare
Energien bis hin zur Elektromobilität.
Erwartete Energieeinsparungen durch Siliziumkarbid-Technologie von bis zu 30
Prozent
Die Siliziumkarbid-basierte Leistungselektronik ermöglicht sehr hohe
Energieeinsparungen, da sie elektrische Energie deutlich effizienter nutzt als
der derzeit noch vorherrschend eingesetzte Halbleiter Silizium. Je nach
Anwendung werden Energieeinsparungen durch den Einsatz der
Siliziumkarbid-Technologie von bis zu 30 Prozent erwartet.
"Mit einer solchen leistungsstarken und gleichzeitig energiesparenden
Siliziumkarbid-Lieferkette können wir leistungselektronische Systeme endlich
ganzheitlich optimieren und so die Energieeffizienz erreichen, die wir dringend
benötigen. TRANSFORM kann diesen wichtigen Beitrag nicht nur zur europäischen
Wettbewerbsfähigkeit, sondern auch zur nachhaltig grüneren Wirtschaft in Europa
durch eine deutliche Steigerung der Energieeffizienz mit der SiC-Technologie
leisten", sagt Prof. Dr. Michael Heuken, Vice President Advanced Technologies
bei der AIXTRON SE.
Das Projekt TRANSFORM wird von der Europäischen Kommission (Kennzeichen
16MEE0131) gefördert.
Ansprechpartner
Guido Pickert
Vice President Investor Relations & Corporate Communications
fon +49 (2407) 9030-444
e-mail g.pickert@aixtron.com
Rita Syre
Senior PR Manager
fon +49 (2407) 9030-3665
mobile +49 (162) 269 3791
e-mail r.syre@aixtron.com
Über AIXTRON
Die AIXTRON SE (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) ist ein führender Anbieter von
Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983
gegründet und hat seinen Sitz in Herzogenrath (Städteregion Aachen) sowie
Niederlassungen und Repräsentanzen in Asien, den USA und in Europa. Die
Technologielösungen der Gesellschaft werden weltweit von einem breiten
Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen für elektronische
und optoelektronische Anwendungen auf Basis von Verbindungshalbleiter- oder
organischen Halbleitermaterialien genutzt. Diese Bauelemente werden in einer
Vielzahl innovativer Anwendungen, Technologien und Industrien eingesetzt. Dazu
gehören beispielsweise Laser-, LED-, und Displaytechnologien, Datenübertragung,
SiC- und GaN-Energiemanagement und -umwandlung, Kommunikation, Signal- und
Lichttechnik sowie viele weitere anspruchsvolle High-Tech-Anwendungen.
Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT(R), AIXTRON(R), APEVA(R), Close
Coupled Showerhead(R), EXP(R), EPISON(R), Gas Foil Rotation(R), OptacapTM,
OVPD(R), Planetary Reactor(R), PVPD(R), STExS(R), TriJet(R)
Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) sind im
Internet unter www.aixtron.com verfügbar.
Zukunftsgerichtete Aussagen
Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die Finanz-
und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON enthalten. Begriffe wie
"können", "werden", "erwarten", "rechnen mit", "erwägen", "beabsichtigen",
"planen", "glauben", "fortdauern" und "schätzen", Abwandlungen solcher Begriffe
oder ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese zukunftsgerichteten Aussagen. Solche
zukunftsgerichtete Aussagen geben die gegenwärtigen Beurteilungen, Erwartungen
und Annahmen des AIXTRON Managements, von denen zahlreiche außerhalb des
AIXTRON Einflussbereiches liegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender
Risiken und Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die
zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder Ungewissheiten
realisieren oder sollten zugrunde liegende Erwartungen zukünftig nicht
eintreten beziehungsweise es sich herausstellen, dass Annahmen nicht korrekt
waren, so können die tatsächlichen Ergebnisse, Leistungen und Erfolge von
AIXTRON wesentlich von denjenigen Ergebnissen abweichen, die ausdrücklich oder
implizit in der zukunftsgerichteten Aussage genannt worden sind. Dies kann
durch Faktoren verursacht werden, wie zum Beispiel die tatsächlich von AIXTRON
erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang der Marktnachfrage nach
Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der endgültigen Abnahme von Erzeugnissen
durch die Kunden, das Finanzmarktklima und die Finanzierungsmöglichkeiten von
AIXTRON, die allgemeinen Marktbedingungen für Depositionsanlagen, und das
makroökonomische Umfeld, Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei
Produktlieferungen, Beschränkungen der Produktionskapazität, lange Verkaufs-
und Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die
allgemeine Entwicklung der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des
Wettbewerbs, Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel,
Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen, Verzögerungen bei
der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung der
allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die AIXTRON in
öffentlichen Berichten und Meldungen, insbesondere im Abschnitt Risiken des
Jahresberichts, beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene
zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen und
Prognosen des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung
verfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur
Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer
Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, soweit keine
ausdrückliche rechtliche Verpflichtung besteht.
Dieses Dokument liegt ebenfalls in englischer Übersetzung vor, bei Abweichungen
geht die deutsche maßgebliche Fassung des Dokuments der englischen Übersetzung
vor.
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Emittent/Herausgeber: AIXTRON SE
Schlagwort(e): Forschung/Technologie
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