STMicroelectronics und Sanan Optoelectronics gaben bekannt, dass sie eine Vereinbarung über die Gründung eines neuen Joint Ventures zur Herstellung von 200mm Siliziumkarbid-Bauelementen in Chongqing, China, unterzeichnet haben. Die neue SiC-Fabrik soll im vierten Quartal 2025 die Produktion aufnehmen und wird voraussichtlich 2028 voll ausgebaut sein, um die steigende Nachfrage in China nach elektrifizierten Fahrzeugen sowie nach industriellen Strom- und Energieanwendungen zu bedienen. Parallel dazu wird Sanan Optoelectronics eine neue Produktionsstätte für 200mm SiC-Substrate errichten und separat betreiben, um den Bedarf des Joint Ventures zu decken, und dabei seinen eigenen SiC-Substratprozess verwenden.

Das Joint Venture wird SiC-Bauelemente exklusiv für STMicroelectronics herstellen, wobei es die ST-eigene SiC-Fertigungstechnologie nutzt, und als spezielle Foundry für ST fungieren, um die Nachfrage seiner chinesischen Kunden zu decken. Der Gesamtbetrag für den vollständigen Aufbau des Joint Ventures wird sich voraussichtlich auf etwa 3,2 Milliarden US-Dollar belaufen, einschließlich Investitionsausgaben in Höhe von etwa 2,4 Milliarden US-Dollar in den nächsten 5 Jahren, die durch Beiträge von STMicroelectronics und SananOptoelectronics, die Unterstützung der lokalen Regierung und Darlehen an das Joint Venture finanziert werden. Die Fertigstellung des Projekts hängt von den behördlichen Genehmigungen ab.