Der Halbleiterhersteller STMicroelectronics und Sanan Optoelectronics planen die Gründung eines Joint Ventures zur Herstellung von Siliziumkarbid in Chongqing, China, wie sie am Mittwoch mitteilten.

In der gemeinsamen Erklärung der Unternehmen heißt es, dass die Gesamtkosten des Joint Ventures bei etwa 3,2 Milliarden Dollar liegen werden, einschließlich Investitionsausgaben von etwa 2,4 Milliarden Dollar in den nächsten fünf Jahren. (Berichterstattung von Sudip Kar-Gupta, Redaktion: David Goodman)