Um dem häufigen Kundenwunsch nach größerem und schnellerem SRAM gerecht zu werden, hat Microchip Technology seine serielle SRAM-Produktlinie auf eine größere Speicherdichte von bis zu 4 Mb und eine höhere SPI/SQI-Geschwindigkeit (Serial Peripheral Interface/Serial Quad I/O Interface) von bis zu 143 MHz erweitert. Die 2 Mb- und 4 Mb-Bausteine sind als kostengünstige Alternative zu herkömmlichen parallelen SRAM-Produkten konzipiert und verfügen über eine optionale Batterie-Backup-Umschaltung im SRAM-Speicher, um die Daten bei Stromausfall zu erhalten. Im Gegensatz zu parallelem RAM, das große Gehäuse und mindestens 26?35 Mikrocontroller (MCU)-I/Os für die Schnittstelle benötigt, werden die seriellen SRAM-Bausteine von Microchip in einem kostengünstigeren 8-Pin-Gehäuse geliefert und nutzen einen Hochgeschwindigkeits-SPI/SQI-Kommunikationsbus, der nur 4-6 MCU-I/O-Pins für eine einfache Integration benötigt.

Dies reduziert den Bedarf an einer teureren MCU mit vielen Pins und kann dazu beitragen, den Platzbedarf auf dem Board zu minimieren. Der häufigste Nachteil von seriellem SRAM - dass paralleler Speicher schneller ist als serieller Speicher - wurde bei den seriellen SRAM-Bausteinen mit 2 Mb und 4 Mb durch die optionale Vierfach-SPI (4 Bits pro Taktzyklus) auf 143 MHz erhöht, wodurch der Geschwindigkeitsunterschied zwischen den Lösungen erheblich verringert wird. Die seriellen SRAM-Bausteine im Kleinformat, mit geringem Stromverbrauch und hoher Leistung haben eine unbegrenzte Lebensdauer und Schreibzeiten von Null, was sie zu einer ausgezeichneten Option für Anwendungen mit kontinuierlicher Datenübertragung, Pufferung, Datenprotokollierung, Zählern und anderen mathematischen und datenintensiven Funktionen macht.

Diese Bausteine sind mit einer Dichte von 64 Kbit bis zu 4 Mb erhältlich und unterstützen die Busmodi SPI, SDI und SQI. Die 2 Mb und 4 Mb seriellen SRAM-Bausteine sind ab $1,60 pro Stück in einer Stückzahl von 10.000 erhältlich.