IntelliEPI Inc. (Cayman) meldet Ergebnis für das zweite Quartal zum 30. Juni 2021
August 25, 2021
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IntelliEPI Inc. (Cayman) gab die Ergebnisse für das zweite Quartal zum 30. Juni 2021 bekannt. Für das zweite Quartal gab das Unternehmen einen Umsatz von TWD 189,398 Millionen bekannt, verglichen mit TWD 161,082 Millionen vor einem Jahr. Das Betriebsergebnis belief sich auf TWD 23,307 Millionen, verglichen mit einem Betriebsverlust von TWD 9,264 Millionen vor einem Jahr. Der Nettogewinn belief sich auf 25,353 Millionen TWD, verglichen mit einem Nettoverlust von 7,969 Millionen TWD vor einem Jahr. Der unverwässerte Gewinn pro Aktie betrug 0,71 TWD gegenüber einem Verlust pro Aktie von 0,22 TWD vor einem Jahr. Der verwässerte Gewinn je Aktie betrug TWD 0,71. Der Halbjahresumsatz betrug 341,380 Millionen TWD gegenüber 311,570 Millionen TWD vor einem Jahr. Das Betriebsergebnis belief sich auf TWD 25,620 Millionen, verglichen mit einem Betriebsverlust von TWD 8,131 Millionen vor einem Jahr. Der Nettogewinn belief sich auf TWD 27,265 Millionen, verglichen mit einem Nettoverlust von TWD 5,708 Millionen vor einem Jahr. Der unverwässerte Gewinn pro Aktie betrug TWD 0,76 gegenüber einem Verlust pro Aktie von TWD 0,16 vor einem Jahr. Der verwässerte Gewinn je Aktie betrug TWD 0,76.
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IntelliEPI Inc. (Cayman) ist eine auf den Kaimaninseln ansässige Holdinggesellschaft von Intelligent Epitaxy Technology, Inc. Das Unternehmen liefert auf Epitaxie basierende Verbindungshalbleiter-EPI-Wafer an die Elektronik- und Optoelektronikindustrie. Es bietet seinen Kunden eine Vielzahl von elektronischen und optoelektronischen EPI-Strukturen, die auf Galliumarsenid (GaAs) und Indiumphosphid (InP) gewachsen sind. Seine GaAs-basierten Produkte umfassen PHEMT (AlAs, InGaP Etch Stop) und MHEMT. Zu den Produkten auf InP-Basis gehören HBT (C-dotiert, Be-dotiert, GaAsSb), HEMT, RTT und RTD. Die Produkte auf Sb-Basis umfassen SLS-Photodetektoren vom Typ II, InP-HBT auf GaAsSb-Basis und EPI-fähige GaSb-Substrate. Zu den opto-elektronischen Produkten gehören Avalanche Photo Diode (APD), Laser (750 nm bis 1100 nm), VCSEL, PIN (GaAs, InP), QWIP, Modulatoren und Quantenkaskadenlaser. Das Unternehmen nutzt seine Technologie zur In-situ-Wachstumsüberwachung in Echtzeit auf Molekularstrahlepitaxie-Anlagen (MBE) für die Herstellung von EPI-Wafern auf GaAs und InP-Substraten.