HPSP verstärkt seine Forschungs- und Entwicklungsprogramme (F&E) im Bereich des Hochdruckglühens (HPA) und der Hochdruckoxidation (HPO). Mit der bevorstehenden Eröffnung seines neuen F&E-Zentrums in Korea hat HPSP neue Programme und Werkzeuge mit fortschrittlichen Fähigkeiten entwickelt, um die bestehende HPA- und HPO-Technologie über die traditionellen Prozessregime hinaus zu erweitern. Die Hinzufügung von HPO und New HPA mit den verschiedenen Gasen baut auf dem Hochdruck-Wasserstoffglühen (HPHA) auf, das insbesondere bei fortgeschrittenen Knotenpunkten zu einem wesentlichen Schritt geworden ist.

High Pressure Hydrogen Annealing (HPHA) ist ein Verfahren zur Verbesserung der Zuverlässigkeit und Leistung von Halbleiterbauelementen durch Aushärtung von Defekten in Halbleiterbauelementen, das in verschiedenen Bereichen Anwendung findet. In Anbetracht der Tatsache, dass die Halbleiterfertigung immer intensiver wird und das Wärmebudget immer knapper wird, wird der Einsatz von herkömmlichen Glühanlagen oder Hochtemperaturglühanlagen im Halbleiter-Glühprozess immer schwieriger. Daher ist die HPSP-Technologie, die das Glühen bei niedrigeren Temperaturen und hohem Druck ermöglicht, zu einem wesentlichen Schritt im Front-End-Halbleiterherstellungsprozess geworden, insbesondere im fortgeschrittenen Knotenpunkt.

Darüber hinaus können HPO und HPA mit den verschiedenen Gasen die Qualität vieler fortschrittlicher Schichten verbessern, was die Leistung zukünftiger Bauelemente weiter steigern könnte. Um die Entwicklung neuer Hochdruckanwendungen zu beschleunigen, erweitert HPSP sein Joint Development Project (JDP) mit imec. Die Unterzeichnungszeremonie für das neue JDP fand am 10. Januar am Hauptsitz von imec in Leuven, Belgien, statt und wurde von wichtigen Führungskräften und Beamten von HPSP und imec besucht.

Als weltweit erstes und einziges Unternehmen, das Hochdruck-Wasserstoff-Glühanlagen für die Halbleiterherstellung entwickelt und herstellt, forscht HPSP seit 2015 gemeinsam mit imec an der Erforschung der wichtigsten Vorteile von HPA für verschiedene Bauelemente. HPA wurde bereits erfolgreich in der Halbleiterfertigung der Kernpartner von imec eingesetzt und hat bereits erhebliche Leistungsverbesserungen bei verschiedenen Bauelementen für die Herstellung von FinFET, GAA und Speicherbauelementen wie den modernsten DRAM und 3D NAND gezeigt. HPSP wird fortschrittliche Forschung zu den Auswirkungen von HPA und HPO in einer Vielzahl von hochmodernen Bauelementen wie CFET- und 3D-Speicher-Bauelementen betreiben und proaktiv mit seinen Kunden und imec an den Anwendungen von HPA und HPO im Halbleiterherstellungsprozess der nächsten Generation arbeiten, die Geschäftsmöglichkeiten durch die Beteiligung an der Entwicklung der Prozesse der nächsten Generation von Halbleiterherstellern erweitern und gleichzeitig den Status von HPSP als vertrauenswürdiger Partner seiner Kunden festigen.

Durch die gemeinsame Forschung mit seinen Kunden und imec, das mit erstklassigen Halbleiterherstellern zusammenarbeitet, erwartet HPSP, seinen Ruf als branchenführender Anbieter von Halbleiterausrüstungen zu stärken und seine technischen Vorteile und seine Wettbewerbsfähigkeit auf dem globalen Markt zu bekräftigen. HPSP ist überzeugt, dass dies den Weg für Chiphersteller ebnen wird, die Leistung und Zuverlässigkeit ihrer Halbleitergeräte zu verbessern und Spitzenprodukte auf den Markt zu bringen.