Crystal IS, ein Unternehmen von Asahi Kasei, gab die erfolgreiche Produktion eines einkristallinen Aluminiumnitrid (AlN)-Substrats mit einem Durchmesser von 4 Zoll (100 mm) bekannt. Dies ist das erste Aluminiumnitrid-Substrat in dieser Größe und zeigt die Skalierbarkeit der Crystal IS-Prozesse für die Züchtung von AlN-Einkristallen, um den Produktionsbedarf für dieses Halbleitermaterial zu decken. Aluminiumnitrid-Substrate haben eine geringe Defektdichte, eine hohe UV-Transparenz und eine geringe Konzentration von Verunreinigungen.

AlN ist aufgrund seiner ultrabreiten Bandlücke und seiner sehr hohen Wärmeleitfähigkeit für eine Vielzahl von Industrien, wie UVC-LEDs und Leistungsgeräte, attraktiv. Das produzierte 4-Zoll-Substrat weist eine nutzbare Fläche von über 80% auf, basierend auf den aktuellen Anforderungen für UVC-LEDs. Crystal IS stellt derzeit jährlich Tausende von 2-Zoll-Substraten her, um die Produktion seiner Klaran- und Optan-Produktlinien zu unterstützen.

Die Kommerzialisierung von 4-Zoll-AlN-Substraten wird den Ausstoß an Bauelementen auf der bestehenden Grundfläche der Anlage in Green Island vervierfachen. Sie wird auch die Entwicklung neuer Anwendungen auf Aluminiumnitrid-Substraten ermöglichen, da sie in bestehende Fertigungslinien für Leistungs- und RF-Bauelemente integriert werden kann, die alternative Materialien verwenden.