Weebit Nano Limited gab bekannt, dass das Unternehmen zusammen mit seinem Entwicklungspartner CEA-Leti seine ersten funktionsfähigen Crossbar-Arrays demonstriert hat. Dies ist ein wichtiger Meilenstein auf dem Weg des Unternehmens zur Entwicklung diskreter (eigenständiger) nichtflüchtiger Speicherchips (NVM). Die in eingebetteten ReRAM-Arrays verwendete 1T1R-Architektur (ein Transistor ein Widerstand) reicht nicht aus, um die großen Arrays von Speicherzellen zu unterstützen, die in diskreten Speicherchips benötigt werden. Aus diesem Grund wurden die Crossbar-Arrays von Weebits mit einer 1S1R-Architektur (ein Selektor ein Widerstand) entwickelt, die die für diskrete Chips erforderliche hohe Dichte ermöglicht. Diese Architektur ermöglicht es auch, Weebits-Arrays in 3D-Schichten zu stapeln, so dass sie eine noch höhere Dichte erreichen können. Die 1S1R Crossbar ReRAM-Architektur von Weebits hat potenzielle Anwendungen in Speicherklassen, persistenten Speichern und als NOR-Flash-Ersatz. Sie ist auch ideal für KI-Architekturen wie In-Memory-Computing und neuromorphes Computing.