Weebit Nano Limited hat Demonstrationschips mit seinem eingebetteten Resistive Random-Access Memory (ReRAM)-Modul in einer fortschrittlichen 22nm FD-SOI (fully depleted silicon on insulator) Prozesstechnologie hergestellt. Dies ist das erste Tape-Out von Weebit ReRAM in 22nm, einem der gängigsten Prozessknoten der Branche und einer Geometrie, in der Embedded Flash nicht realisierbar ist. Weebit arbeitete mit seinen Entwicklungspartnern CEA-Leti und CEA-List zusammen, um seine ReRAM-Technologie erfolgreich auf 22nm zu skalieren.

Die Teams entwarfen ein komplettes IP-Speichermodul mit einem Multi-Megabit-ReRAM-Block für den 22-nm-FD-SOI-Prozess, der eine herausragende Leistung für vernetzte und stromsparende Anwendungen wie IoT und Edge-KI bieten soll. Da Embedded Flash nicht unter 28nm skalieren kann, wird eine neue nichtflüchtige Speichertechnologie (NVM) für kleinere Prozessgeometrien benötigt. Weebit ReRAM in 22nm FD-SOI bietet eine stromsparende, kostengünstige Embedded-NVM-Lösung, die auch rauen Umgebungsbedingungen standhält.

Das eingebettete ReRAM-Modul von Weebit umfasst ein 8Mb ReRAM-Array, Steuerlogik, Decoder, IOs (Input/Output-Kommunikationselemente) und Fehlerkorrekturcode (ECC). Es wurde mit einzigartigen, zum Patent angemeldeten analogen und digitalen Schaltkreisen entwickelt, auf denen intelligente Algorithmen laufen, die die technischen Parameter des Speicherarrays erheblich verbessern. Neben anderen Vorteilen zeichnet sich die ReRAM-Technologie von Weebit durch eine hohe Widerstandsfähigkeit gegenüber rauen Umgebungsbedingungen wie hohen Temperaturen, Strahlung und elektromagnetischen Feldern aus, was sie ideal für Anwendungen in den Bereichen IoT, Medizin, Automobil und Industrie macht.

Die Demo-Chips umfassen ein komplettes Subsystem für eingebettete Anwendungen, darunter das Weebit ReRAM-Modul, einen RISC-V-Mikrocontroller (MCU), Systemschnittstellen, Speicher und Peripheriegeräte.