SPI Energy Co., Ltd. gab bekannt, dass seine hundertprozentige Tochtergesellschaft Solar4america plant, mit der Herstellung von N-Typ HJT Solarzellen in den Vereinigten Staaten zu beginnen. HJT nutzt monokristallines Silizium des Typs N als Substrat, auf dem siliziumbasierte Dünnschichten mit einzigartigen Eigenschaften und transparente leitfähige Schichten auf der Vorder- und Rückseite abgeschieden werden. Durch die Kombination der Vorteile von HJT- und amorphen Silizium-Dünnschichttechnologien bietet die HJT-Technologie eine hervorragende Fotoabsorption, Passivierungseffekte sowie eine außergewöhnliche Effizienz und Leistung.

Zu den wichtigsten Vorteilen der HJT-Solarzellen gehören ein höherer Umwandlungswirkungsgrad, eine höhere Energieausbeute, eine geringere Degradationsrate, eine verbesserte Leistung bei schwachem Licht und die Möglichkeit, sie an dünnere Wafer anzupassen. Solar4America plant, mit der Herstellung von HJT-Solarzellen in den USA zu beginnen. Die dortige Anlage wird die Produktionskapazitäten von Solar4america erheblich erweitern. Mit der Aufnahme von HJT-Solarzellen in sein Produktportfolio will Solar4America zu einem der führenden amerikanischen Anbieter von fortschrittlichen Photovoltaik (PV)-Lösungen werden.