Riber S.A. gab einen Millionenauftrag für eine MBE 49GaN-Anlage bekannt. Ein neuer asiatischer Industriekunde hat soeben eine MBE 49 Anlage bestellt, um Produktionskapazitäten für fortschrittliche optoelektronische Komponenten auf Basis von III-Nitrid-Materialien (GaN, AlN) für den Leuchtdiodenmarkt (UV-LEDs, weiße LEDs und Mikro-LEDs) zu erwerben. Dieser neue Auftrag bestätigt die Marktakzeptanz der MBE 49, einer der effizientesten Multi-Wafer-Dünnschichtabscheidungsanlagen für die Entwicklung elektronischer Anwendungen auf Basis von Verbindungshalbleitern.

Dieser Auftrag wird im Jahr 2024 ausgeliefert werden.