IQE plc kündigte die erste 150 mm (6") Indiumphosphid (InP)-Plattform an, die die skalierte Produktion von elektro-optischen Bauteilen ermöglicht, die das Herzstück von künstlicher Intelligenz (KI), maschinellem Lernen und Cloud-Rechenzentrumsnetzwerken bilden. In Zusammenarbeit mit Kelvin Nanotechnology und dem James Watt Nanofabrication Centre hat IQE eine prozessfertige 6" Distributed Feedback (DFB) InP-Laser-Wafer-Plattform entwickelt, die es Kunden ermöglicht, hochvolumige Laserlösungen zu liefern, die das rasante Wachstum bei optischen Hochgeschwindigkeits-Datenverbindungen unterstützen. Die Halbleitermaterialien von IQE für die Dateninfrastruktur werden in einer Vielzahl von Transceiver-Plattformen eingesetzt. Als Pionier auf dem Gebiet der InP-Technologie stellt IQE die Skalierbarkeit dieser Technologie unter Beweis und ermöglicht so eine schrittweise Änderung der Volumenproduktion, um die steigende Nachfrage nach DFB-Lasern zu befriedigen.

Dies stellt auch sicher, dass die optische Verbindungstechnologie wettbewerbsfähig bleibt, wenn der Netzwerkverkehr skaliert wird, um die Anforderungen der generativen KI und datenintensiver Anwendungen zu erfüllen.