26. Januar 2012

Neubiberg, 26. Januar 2012 - Infineon Technologies hat für Leistungshalbleiter in Fahrzeugen ein neues Gehäuse mit hoher Stromtragfähigkeit und hohem Wirkungsgrad entwickelt. Das neue TO-Gehäuse entspricht dem JEDEC-Standard H-PSOF (Heatsink Plastic Small Outline Flat lead). Zum Einsatz kommt es in anspruchsvollen Automobilelektronik-Applikationen: im Batterie-Management für Elektro- und Hybrid-Fahrzeuge, in der elektrischen Servolenkung (EPS) oder der aktiven Lichtmaschine. Die ersten Produkte im H-PSOF-Gehäuse sind 40-V-Leistungs-MOSFETs der Familie OptiMOS™ T2 mit Strömen bis zu 300 A und extrem geringen RDS(on)-Werten von nur 0,76 m

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