ON Semiconductor Corporation hat oEliteSiCo als Namen für seine Siliziumkarbid (SiC)-Familie eingeführt. Diese Woche wird das Unternehmen drei neue Mitglieder der Familie u den 1700 V EliteSiC MOSFET und zwei 1700 V Avalanche-bewertete EliteSiC Schottky-Dioden u auf der Consumer Electronics Show (CES) in Las Vegas vorstellen. Die neuen Bauelemente bieten eine zuverlässige, hocheffiziente Leistung für Energieinfrastruktur- und industrielle Antriebsanwendungen und unterstreichen die Position von onsemi als führender Anbieter von industriellen Siliziumkarbid-Lösungen.

Mit dem 1700 V EliteSiC MOSFET (NTH4L028N170M1) liefert onsemi SiC-Lösungen mit höherer Durchbruchsspannung (BV), die für industrielle Hochleistungsanwendungen erforderlich sind. Die beiden EliteSiC Schottky-Dioden (NDSH25170A, NDSH10170A) mit einer Avalanche-Spannung von 1700 V ermöglichen Entwicklern einen stabilen Hochspannungsbetrieb bei erhöhten Temperaturen und bieten gleichzeitig eine hohe Effizienz, die durch SiC ermöglicht wird. Bei einer Testbedingung von 1200 V bei 40 A erreicht der 1700 V EliteSiC MOSFET eine Gate-Ladung (Qg) von 200 nC u, was im Vergleich zu äquivalenten Wettbewerbsbauteilen, die näher bei 300 nC liegen, marktführend ist.

Ein niedriges Qg ist entscheidend für eine hohe Effizienz in schnell schaltenden Hochleistungsanwendungen für erneuerbare Energien. Mit einer BV-Bewertung von 1700 V bieten die EliteSiC Schottky-Dioden einen verbesserten Spielraum zwischen der maximalen Sperrspannung (VRRM) und der Spitzenwiederholspannung der Diode. Die neuen Bauelemente bieten auch eine hervorragende Leistung in Sperrrichtung mit einem maximalen Sperrstrom (IR) von nur 40 µA bei 25°C und 100 µA bei 175°C u deutlich besser als die Bauelemente der Konkurrenz, die oft mit 100 µA bei 25°C bewertet werden.