Navitas Semiconductor Corporation meldet Ergebnis für das vierte Quartal und das Gesamtjahr bis zum 31. Dezember 2023
Am 29. Februar 2024 um 22:21 Uhr
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Navitas Semiconductor Corporation hat die Ergebnisse für das vierte Quartal und das am 31. Dezember 2023 endende Geschäftsjahr bekannt gegeben. Für das vierte Quartal meldete das Unternehmen einen Umsatz von 26,06 Mio. USD, verglichen mit 12,35 Mio. USD vor einem Jahr. Der Nettoverlust belief sich auf 32,58 Millionen USD gegenüber 7,13 Millionen USD vor einem Jahr. Der unverwässerte Verlust pro Aktie aus fortgeführten Geschäftsbereichen betrug 0,18 USD gegenüber 0,05 USD vor einem Jahr. Der verwässerte Verlust pro Aktie aus den fortzuführenden Geschäftsbereichen belief sich auf 0,18 USD gegenüber 0,05 USD vor einem Jahr. Für das Gesamtjahr belief sich der Umsatz auf 79,46 Mio. USD gegenüber 37,94 Mio. USD vor einem Jahr. Der Nettoverlust belief sich auf 145,43 Millionen USD gegenüber einem Nettogewinn von 73,91 Millionen USD vor einem Jahr. Der unverwässerte Verlust pro Aktie aus den fortzuführenden Geschäftsbereichen betrug 0,86 USD gegenüber einem unverwässerten Gewinn pro Aktie aus den fortzuführenden Geschäftsbereichen von 0,55 USD vor einem Jahr. Der verwässerte Verlust pro Aktie aus den fortzuführenden Geschäftsbereichen betrug 0,86 USD, verglichen mit einem verwässerten Gewinn pro Aktie aus den fortzuführenden Geschäftsbereichen von 0,51 USD vor einem Jahr.
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Navitas Semiconductor Corporation ist ein Unternehmen für Leistungshalbleiter. Das Unternehmen entwirft, entwickelt und vermarktet Leistungshalbleiter, darunter integrierte Schaltkreise (ICs) aus Galliumnitrid (GaN), Leistungsbauelemente aus Siliziumkarbid (SiC), zugehörige Silizium-Systemcontroller und digitale Isolatoren, die bei der Stromumwandlung und beim Laden verwendet werden. Stromversorgungen, die seine Produkte enthalten, werden in einer Vielzahl von Elektronikprodukten eingesetzt, darunter Schnellladegeräte für Mobiltelefone und Laptops, Unterhaltungselektronik, Rechenzentren, Solarwechselrichter und Elektrofahrzeuge sowie zahlreiche andere Anwendungen. Die GaNFast Power ICs des Unternehmens integrieren GaN-Leistung und -Antrieb mit Steuerung, Sensorik und Schutz, um schnelleres Laden, höhere Leistungsdichte und Energieeinsparungen zu ermöglichen. Die GeneSiC-Leistungsbausteine sind mit zuverlässigen SiC-Lösungen optimiert. Das Unternehmen bietet auch eine Reihe von SiC-MOSFETs und -Dioden an, die bei höheren Temperaturen einen geringeren Widerstand aufweisen, 25°C kühler sind und eine dreimal längere Lebensdauer haben.