AXT, Inc. meldet Ergebnis für das zweite Quartal und die sechs Monate bis zum 30. Juni 2023
Am 03. August 2023 um 22:05 Uhr
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AXT, Inc. meldete die Ergebnisse für das zweite Quartal und die sechs Monate bis zum 30. Juni 2023. Für das zweite Quartal meldete das Unternehmen einen Umsatz von 18,6 Mio. USD, verglichen mit 39,49 Mio. USD vor einem Jahr. Der Nettoverlust betrug 5,09 Millionen USD gegenüber einem Nettogewinn von 5,55 Millionen USD vor einem Jahr. Der unverwässerte Verlust pro Aktie aus fortzuführenden Geschäftsbereichen betrug 0,12 USD gegenüber einem unverwässerten Gewinn pro Aktie aus fortzuführenden Geschäftsbereichen von 0,13 USD vor einem Jahr. Der verwässerte Verlust pro Aktie aus den fortzuführenden Geschäftsbereichen betrug 0,12 USD, verglichen mit einem verwässerten Gewinn pro Aktie aus den fortzuführenden Geschäftsbereichen von 0,13 USD vor einem Jahr. In den sechs Monaten betrug der Umsatz 38 Millionen USD gegenüber 79,14 Millionen USD vor einem Jahr. Der Nettoverlust belief sich auf 8,44 Mio. USD gegenüber einem Nettogewinn von 8,71 Mio. USD vor einem Jahr. Der unverwässerte Verlust pro Aktie aus fortzuführenden Geschäftsbereichen betrug 0,2 USD gegenüber einem unverwässerten Gewinn pro Aktie aus fortzuführenden Geschäftsbereichen von 0,21 USD vor einem Jahr. Der verwässerte Verlust pro Aktie aus den fortzuführenden Geschäftsbereichen betrug 0,2 USD, verglichen mit einem verwässerten Gewinn pro Aktie aus den fortzuführenden Geschäftsbereichen von 0,2 USD vor einem Jahr.
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AXT, Inc. ist ein materialwissenschaftliches Unternehmen, das hochleistungsfähige Verbindungs- und Einzelelement-Halbleiter-Wafersubstrate aus Indiumphosphid (InP), Galliumarsenid (GaAs) und Germanium (Ge) entwickelt und herstellt. Seine Wafersubstrate werden verwendet, wenn ein typisches Silizium-Wafersubstrat die Leistungsanforderungen eines Halbleiters oder optoelektronischen Geräts nicht erfüllen kann. Das Unternehmen hat zwei Produktlinien: Substrate aus Spezialmaterialien und Rohstoffe, die in diese Substrate integriert sind. Sein InP ist ein Halbleiter-Wafersubstrat, das in Breitband- und Glasfaseranwendungen, 5G-Infrastrukturen und der Konnektivität von Rechenzentren eingesetzt wird. Seine halbleitenden GaAs-Substrate werden für die Herstellung optoelektronischer Produkte verwendet, darunter helle Leuchtdioden, die häufig für die Hintergrundbeleuchtung von Mobiltelefonen und LCD-Fernsehern sowie für Anwendungen in der Automobilindustrie, Beschilderung und Beleuchtung eingesetzt werden. Seine Ge-Substrate werden in Anwendungen wie Solarzellen für Weltraum- und terrestrische Photovoltaik-Anwendungen eingesetzt.
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