FAKTOR-OPTIONSSCHEIN - NAVITAS SEMICONDUCTOR Aktie

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MG1UTD

DE000MG1UTD7

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WKNTypProdukttyp Fälligkeit Elastizität Hebel ParitätKursVolumen
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CALL Knock-Out mit Stop Loss Unbegrenzt 3.22x - 1

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CALL Exotische Produkte Unbegrenzt 3x 1.144

1.16

1.14

0
CALL Knock-Out ohne Stop Loss Unbegrenzt - 1

0.95

0.92

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CALL Exotische Produkte Unbegrenzt 2x 0.67

2.89

2.86

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CALL Exotische Produkte Unbegrenzt 4x 0.424

2.4

2.35

0
CALL Exotische Produkte Unbegrenzt 3x 0.278

4.77

4.7

0
CALL Exotische Produkte Unbegrenzt 3x 0.15

7.91

7.79

0
CALL Exotische Produkte Unbegrenzt 2x 0.188

9.57

9.47

0
CALL Exotische Produkte Unbegrenzt 4x 0.261

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Mehr Ergebnisse
Datum Kurs %
28.06.24 7,33 -10,94 %
27.06.24 8,23 -0,12 %
26.06.24 8,24 -5,83 %
25.06.24 8,75 +12,04 %
24.06.24 7,81 +8,93 %

verzögerte Kurse Börse Stuttgart

Letzte Aktualisierung Am 28. Juni 2024 um 14:41 Uhr

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Stammdaten

ProdukttypExotische Produkte
Kauf / VerkaufCALL
Basiswert NAVITAS SEMICONDUCTOR CORPORATION
Emittent Morgan Stanley
WKN MG1UTD
ISINDE000MG1UTD7
Emissionsdatum 08.04.2024
Basispreis 5,28 $
Fälligkeit Unbegrenzt
Parität 0.15 : 1
Emissionspreis 10
Emissionsvolumen N/A
Rückzahlungsart Barausgleich
Währung EUR

Technische Kennzahlen

Hoch seit Emission 18,43
Tief seit Emission 5,26
Spread 0,12
Spread %1,49%

Unternehmensprofil

Navitas Semiconductor Corporation ist ein Unternehmen für Leistungshalbleiter. Das Unternehmen entwirft, entwickelt und vermarktet Leistungshalbleiter, darunter integrierte Schaltkreise (ICs) aus Galliumnitrid (GaN), Leistungsbauelemente aus Siliziumkarbid (SiC), zugehörige Silizium-Systemcontroller und digitale Isolatoren, die bei der Stromumwandlung und beim Laden verwendet werden. Stromversorgungen, die seine Produkte enthalten, werden in einer Vielzahl von Elektronikprodukten eingesetzt, darunter Schnellladegeräte für Mobiltelefone und Laptops, Unterhaltungselektronik, Rechenzentren, Solarwechselrichter und Elektrofahrzeuge sowie zahlreiche andere Anwendungen. Die GaNFast Power ICs des Unternehmens integrieren GaN-Leistung und -Antrieb mit Steuerung, Sensorik und Schutz, um schnelleres Laden, höhere Leistungsdichte und Energieeinsparungen zu ermöglichen. Die GeneSiC-Leistungsbausteine sind mit zuverlässigen SiC-Lösungen optimiert. Das Unternehmen bietet auch eine Reihe von SiC-MOSFETs und -Dioden an, die bei höheren Temperaturen einen geringeren Widerstand aufweisen, 25°C kühler sind und eine dreimal längere Lebensdauer haben.
Sektor
-
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