Alpha and Omega Semiconductor Limited kündigt seinen AONZ66412 XSPairFET? MOSFET vor, der für Buck-Boost-Wandler in USB PD 3.1 Extended Power Range (EPR)-Anwendungen entwickelt wurde. Der USB PD 3.1 EPR erhöht die maximale Leistung von USB-C auf bis zu 240W.

Der AONZ66412 ist so definiert, dass er den am häufigsten adressierten Leistungsbereich von bis zu 140W bei 28V unterstützt, mit zwei 40V n-Kanal-MOSFETs in einer Halbbrücken-Konfiguration in einem symmetrischen XSPairFET? 5mmx6mm-Gehäuse. Der AONZ66412 kann zwei einzelne DFN5x6-MOSFETs ersetzen, wodurch die Leiterplattenfläche reduziert und das Layout der 4-Switch-Buck-Boost-Architektur vereinfacht wird, während gleichzeitig ein Design mit höherem Wirkungsgrad ermöglicht wird.

Dank dieser Vorteile ist der AONZ66412 ideal für Buck-Boost-Wandler in USB 3.1 EPR-Anwendungen des Typs C, einschließlich Notebook-, USB-Hub- und Powerbank-Designs. Der AONZ66412 ist eine Erweiterung der AOS XSPairFET?-Produktreihe, die sich durch die neueste Bottom-Source-Gehäusetechnologie und eine geringere parasitäre Induktivität auszeichnet, um das Klingeln der Schaltknoten zu reduzieren.

Der AONZ66412 wurde mit integrierten High-Side- und Low-Side-MOSFETs (3,8 mOhm maximaler On-Widerstand für jeden FET) in einem symmetrischen DFN5x6-Gehäuse für XSPairFET? entwickelt. Die Low-Side-MOSFET-Source des AONZ66412 ist direkt mit einem großen Paddle am Leadframe verbunden. Dies ermöglicht eine verbesserte Thermik, da dieses Paddle direkt mit der Massefläche auf der Leiterplatte verbunden werden kann.

Die verbesserten Gehäuseparasitika machen einen 1MHz-Betrieb möglich, wodurch die Größe und Höhe der Induktivität reduziert werden kann. Der AONZ66412 wurde unter typischen USB PD 3.1 EPR-Bedingungen mit 28V Eingangsspannung, 17,6V Ausgangsspannung und 8A Last auf eine Effizienz von 97% bei 1MHz getestet. Der AONZ66412 ist ab sofort in Produktionsmengen mit einer Vorlaufzeit von 16 Wochen erhältlich.

Der Stückpreis bei einer Menge von 1.000 Stück beträgt $1,56.