Die Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) hat heute die neueste Generation der BiCS FLASH™ dreidimensionalen (3D) Flash-Speicher mit einer gestapelten Zellstruktur*1 vorgestellt, ein 64-Layer-Gerät, das weltweit das erste seiner Art*2 sein wird, dessen Muster ab heute geliefert werden. Das neue Gerät enthält 3-bit-pro-Zelle (Triple-Level Zelle, TLC)-Technologie und erzielt eine Kapazität von 256-Gigabit (32-Gigabytes), ein Fortschritt, der das Potenzial der Toshiba-eigenen Architektur unterstreicht. Toshiba setzt die Verfeinerung von BiCS FLASH™-Speichern fort und der nächste Meilenstein in der Entwicklung ist ein 512-Gigabit (64-Gigabytes)-Gerät, ebenfalls mit 64 Schichten.

Dieser Smart News Release enthält Multimedia. Vollständige Veröffentlichung hier ansehen: http://www.businesswire.com/news/home/20160727005784/de/

64-layer BiCS FLASH (Photo: Business Wire)

64-layer BiCS FLASH (Photo: Business Wire)

Das neue Gerät ist der Nachfolger des 48-Layer BiCS FLASH™-Speichers. Der Leading-edge 64-Layer-Stapelprozess bietet eine um 40 Prozent größere Kapazität pro Chip-Größe als der 48-Layer Stapelprozess, was die Kosten pro Bit reduziert und die Herstellung von Speicherkapazität pro Silikon-Wafer erhöht. 64-layer BiCS FLASH™-Speicher erfüllen anspruchsvolle Leistungsspezifikationen und werden in Applikationen verwendet werden, die Unternehmens- und Verbraucher-SSD, Smartphones, Tablets und Speicherkarten einschließen.

Seit der Einführung des weltweit ersten*3 Prototyps der 3D Flash-Speichertechnologie im Juni 2007 hat Toshiba ständig an der Weiterentwicklung gearbeitet. Das Unternehmen fördert BiCS FLASH™-Speicher aktiv, um den Bedarf an größerer Kapazität bei kleinerer Größe zu decken.

Toshiba wird den 64-Layer BiCS FLASH™-Speicher in dem New Fab 2 Betrieb in Yokkaichi herstellen, der offiziell früher in diesem Monat eröffnet wurde. Die Massenproduktion der 64-Layer BiCS FLASH™-Speicher soll in der ersten Jahreshälfte 2017 beginnen.

*1: Eine Struktur aus vertikal auf Silikonsubstrat gestapelten Flash Memory-Zellen zur Erzielung bedeutender Dichteverbesserungen im Vergleich zur planaren NAND Flash Memory, bei dem die Zellen auf dem Silikonsubstrat gebildet werden.
*2: Stand: 27. Juli 2016 Toshiba-Umfrage.
*3: Toshiba-Präsentation, 12. Juni 2007.
* BiCS FLASH ist eine Marke von Toshiba Corporation.

Über Toshiba

Die Toshiba Corporation, ein Unternehmen der Fortune Global 500, lässt ihre Weltklasse-Kompetenzen im Bereich hoch entwickelter elektronischer und elektrischer Produkte und Systeme in drei Schwerpunkt-Geschäftsbereiche einfließen: Energie, die das tägliche Leben möglich macht, die sauberer und sicherer ist, Infrastruktur, die für Lebensqualität sorgt, und Speicherplatz, der die fortschrittliche Informationsgesellschaft möglich macht. Der Grundleitsatz der Toshiba Group lautet: „Committed to People, Committed to the Future“ („Den Menschen verpflichtet, der Zukunft verpflichtet“). Das Unternehmen treibt sein operatives Geschäft global voran und trägt zur Gestaltung einer Welt bei, in der zukünftige Generationen besser leben können.

Toshiba wurde 1875 in Tokio gegründet und bildet heute das Zentrum eines Netzwerks aus 550 Konzernunternehmen, die weltweit 188.000 Mitarbeiter beschäftigen und einen Jahresumsatz von mehr als 5,6 Billionen Yen (50 Milliarden US-Dollar) erwirtschaften. (Stand 31. März 2016)
Weitere Informationen zu Toshiba finden Sie unter www.toshiba.co.jp/index.htm.

Die Ausgangssprache, in der der Originaltext veröffentlicht wird, ist die offizielle und autorisierte Version. Übersetzungen werden zur besseren Verständigung mitgeliefert. Nur die Sprachversion, die im Original veröffentlicht wurde, ist rechtsgültig. Gleichen Sie deshalb Übersetzungen mit der originalen Sprachversion der Veröffentlichung ab.