Texas Instruments Incorporated kündigte die Erweiterung seines Galliumnitrid (GaN)-Portfolios mit niedrigem Stromverbrauch an, das dazu beitragen soll, die Leistungsdichte zu verbessern, die Systemeffizienz zu maximieren und die Größe von AC/DC-Leistungselektronik und Industriesystemen zu verringern. Das Gesamtportfolio der GaN-Feldeffekttransistoren (FETs) von TI mit integrierten Gate-Treibern ist auf die üblichen Herausforderungen beim thermischen Design ausgerichtet und sorgt dafür, dass die Adapter kühler bleiben und gleichzeitig mehr Leistung auf kleinerer Fläche liefern. Das neue Portfolio von GaN-FETs mit integriertem Gate-Treiber, zu dem der LMG3622, LMG3624 und LMG3626 gehören, bietet die branchenweit genaueste integrierte Strommessung. Diese Funktionalität hilft Entwicklern, eine maximale Effizienz zu erreichen, da kein externer Shunt-Widerstand mehr erforderlich ist und die damit verbundenen Leistungsverluste im Vergleich zu herkömmlichen Strommessschaltungen mit diskreten GaN- und Silizium-FETs um bis zu 94% reduziert werden.

Maximieren Sie die Energieeffizienz und vereinfachen Sie das thermische Design: Die GaN-FETs von TI mit integrierten Gate-Treibern ermöglichen schnellere Schaltgeschwindigkeiten, was dazu beiträgt, dass die Adapter nicht überhitzen. Entwickler können eine Systemeffizienz von bis zu 94% für < 75 W AC/DC-Anwendungen oder über 95% für >75 W AC/DC-Anwendungen erreichen. Mit den neuen Bausteinen können Entwickler die Größe eines typischen 67-W-Netzteils im Vergleich zu siliziumbasierten Lösungen um bis zu 50 % reduzieren.

Das Portfolio ist außerdem für die gängigsten Topologien bei der AC/DC-Leistungsumwandlung optimiert, wie z.B. Quasi-Resonanz-Flyback, asymmetrische Halbbrücke-Flyback, Induktor-Induktor-Wandler, Totem-Pol-Leistungsfaktorkorrektur und Active Clamp Flyback. Langfristige Investition in die GaN-Fertigung: TI verfügt seit langem über eigene, regional unterschiedliche interne Fertigungsbetriebe, darunter Wafer-Fabriken, Montage- und Testfabriken sowie Bump- und Probe-Einrichtungen an 15 Standorten weltweit. TI investiert seit mehr als 10 Jahren in die Herstellung von GaN-Technologie.

Mit dem Plan, bis 2030 mehr als 90% seiner Produkte intern zu fertigen, ist TI in der Lage, seinen Kunden für die nächsten Jahrzehnte zuverlässige Kapazitäten zu bieten. Gehäuse, Verfügbarkeit und Preise: Produktionsmengen des LMG3622 und LMG3626 sowie Vorproduktionsmengen des LMG3624 sind ab sofort auf TI.com/GaN erhältlich. Die Preise beginnen bei US$3,18 in einer Stückzahl von 1.000 Einheiten.

Erhältlich in einem 8 mm x 5,3 mm großen, 38-poligen, flachen No-Lead-Gehäuse. Evaluierungsmodule, darunter das LMG3624EVM-081, sind ab 250 USD erhältlich. Es sind mehrere Zahlungs- und Versandoptionen verfügbar.

Pin-to-Pin-Bausteine ohne integrierte Strommessung, LMG3612 und LMG3616, sind ebenfalls erhältlich.