Das Institut für Mikroelektronik (IME) der Agentur für Wissenschaft, Technologie und Forschung (A*STAR) und Soitec (Euronext Paris) haben eine Forschungskooperation zur Entwicklung von Halbleiterbauelementen aus Siliziumkarbid (SiC) der nächsten Generation für den Betrieb von Elektrofahrzeugen und fortschrittlichen elektronischen Hochspannungsgeräten angekündigt. Im Rahmen der Zusammenarbeit werden die Parteien Soitecs firmeneigene Technologien wie Smart Cut und die Pilotproduktionslinie von IME nutzen, um SiC-Halbleitersubstrate mit einem Durchmesser von 200 mm herzustellen. Die gemeinsame Forschung wird zur Entwicklung eines ganzheitlichen SiC-Ökosystems beitragen und die Fähigkeiten zur Halbleiterherstellung in Singapur und der Region stärken. Die Forschungskooperation ist bis Mitte 2024 geplant und zielt auf folgende Ergebnisse ab: Entwicklung von SiC-Epitaxie- und Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFET) für Smart-Cut-SiC-Substrate, um qualitativ hochwertigere Mikrochip-Transistoren mit weniger Defekten und höherer Ausbeute während des Herstellungsprozesses zu produzieren. Erstellung eines Benchmarks für SiC-Leistungs-MOSFET-Bauelemente, die auf Smart-Cut-SiC-Substraten hergestellt werden, und Demonstration der Vorteile des Prozesses im Vergleich zu herkömmlichen Bulk-Substraten. A*STARs IME verfügt über Kompetenzen in den Bereichen heterogene Integration, System-in-Package, Sensorik, Aktorik und Mikrosysteme, RF & mmWave, SiC/GaN-on-SiC-Leistungselektronik und MedTech. Die 8-Zoll-SiC-Pilotlinie, die eingerichtet wird, dient der Validierung von 8-Zoll-Fertigungsprozessen und -werkzeugen im Pilotmaßstab, bevor der Übergang zur 8-Zoll-Fertigung in großen Stückzahlen erfolgen kann. Ein weiterer Zweck dieses Programms ist die Durchführung angewandter FuE zu innovativen SiC-MOSFET-Prozessen und -Materialien wie Soitecs Smart Cut SiC-Substraten, um die Industrie auf die SiC-Fertigung der nächsten Generation vorzubereiten.