Samsung Electronics Co., Ltd. hat mit der Massenproduktion der branchenweit dünnsten LPDDR5X-DRAM-Gehäuse der 12-Nanometer (nm)-Klasse mit 12 und 16 Gigabyte (GB) begonnen und festigt damit seine Führungsposition auf dem Low-Power-DRAM-Markt. Dank seines umfassenden Know-hows im Chip-Packaging ist Samsung in der Lage, ultraflache LPDDR5X-DRAM-Gehäuse zu liefern, die zusätzlichen Platz in mobilen Geräten schaffen und eine bessere Luftzirkulation ermöglichen. Dies erleichtert die thermische Kontrolle, ein Faktor, der insbesondere für Hochleistungsanwendungen mit fortschrittlichen Funktionen wie On-Device-KI immer wichtiger wird.

Mit den neuen LPDDR5X-DRAM-Gehäusen bietet Samsung den branchenweit dünnsten LPDDR-DRAM der 12-nm-Klasse in einer 4-Stapel-Struktur1 an, wodurch die Dicke um ca. 9 % reduziert und die Wärmebeständigkeit um ca. 21,2 % im Vergleich zur vorherigen Produktgeneration verbessert wurde. Durch die Optimierung der Leiterplatten- (PCB) und Epoxidharztechniken (EMC)2 ist das neue LPDDR DRAM-Gehäuse mit 0,65 Millimetern (mm) so dünn wie ein Fingernagel und damit das dünnste unter den bestehenden LPDDR DRAMs mit 12 GB oder mehr. Samsungs optimiertes Backlapping3-Verfahren wird ebenfalls eingesetzt, um die Gehäusehöhe zu minimieren.

Samsung plant, den Markt für stromsparende DRAMs weiter auszubauen, indem es seine 0,65 mm LPDDR5X-DRAMs sowohl an Hersteller von Mobilprozessoren als auch an Hersteller von Mobilgeräten liefert. Da die Nachfrage nach leistungsstarken, hochdichten mobilen Speicherlösungen in kleineren Gehäusegrößen weiter steigt, plant das Unternehmen, 6-Layer-24GB- und 8-Layer-32GB-Module in den dünnsten LPDDR DRAM-Gehäusen für zukünftige Geräte zu entwickeln.