München, Deutschland und El Segundo, Kalifornien, USA - 16. Februar 2018 - Leistungshalbleiter-Technologien auf Basis von hochentwickeltem GaN-, SiC- und Si-Material stehen am Stand der Infineon Technologies AG auf der Applied Power Electronics Conference (APEC) im Rampenlicht. Vom 4. bis 8. März 2018 wird Infineon energieeffiziente, zuverlässige und kostengünstige Halbleitersystemlösungen präsentieren, die das Potenzial haben, die Zukunft zu verbessern. Die Ausstellung (Messestand 701) findet im Henry B. Gonzalez Convention Center in San Antonio, Texas statt.

Die Exponate und Demonstrationen verdeutlichen die wachsende Zuverlässigkeit und Marktreife von Leistungshalbleiter-Technologien mit großem Bandabstand (Wide Band Gap). Zudem zeigen sie die kontinuierliche Verbesserung bei siliziumbasierten MOSFETs und IGBTs, wesentlichen Standbeinen der Industrie. Darüber hinaus wird Infineon neue digitale Controller der XDP™-Familie sowie intelligente Leistungsmodule und Audiotreiber präsentieren. Daneben werden auch Platinen auf GaN-Basis für Telekommunikations-, Server- und Verbraucherelektronik-Anwendungen, SiC-MOSFET und -Dioden sowie für den Einsatz in Fahrzeugen zugelassene Wechselrichtermodule zu sehen sein.

Infineon wird auch an 15 Sessions und Seminaren (auf Englisch) während der APEC teilnehmen:

Sonntag, 4. März

  • Professional education seminar: Power Semiconductors for Traction Inverters in Vehicles - from Discretes to Power Modules, from Silicon to Wide Bandgap Devices (A. Christmann, D. Levett), S11, 14.30 Uhr - 18.00 Uhr, Raum 206

Montag, 5. März

  • Professional Education Seminar: Gate Driver Design for IGBT and SiC-based Power Devices and Modules (D. Levett), S13, 8.30 Uhr - 12.00 Uhr, Raum 217BC

Dienstag, 6. März

  • Industry Session: Latest Advancements in Device and Package Technology for High Power, High Frequency Switching Device (Co-Vorsitz: T. McDonald), IS01, 8.30 Uhr - 11.55 Uhr, Raum 206
  • Technical Session: Hybrid DC-DC Converters (Co-Vorsitz: C. Gezgin), T02, 8.30 Uhr - 12.00 Uhr, Raum 214B
  • Exhibitor Seminar: New Gate-Driver IC with Excellent Ground-shift Robustness (H. Baierl), 15.00 Uhr - 15.30 Uhr, Raum 217C
  • Rap Session 1: Biggest Impact on Power Conversion - Devices or Magnetics? (M. Schlenk), 17.00 Uhr - 18.30 Uhr
  • Rap Session 2: Gate Drive Isolation Technologies - Optical, Magnetic or Capacitive Coupling (A. Tu, W. Frank), 17.00 Uhr - 18.30 Uhr
  • Rap Session 3: GaN vs. SiC vs. Si for Next Generation Power Devices (G. DeBoy), 17.00 Uhr - 18.30 Uhr

Mittwoch, 7. März

  • Industry Session: Modeling & Simulation (Vorsitz: W. Moussa), IS10, 8.30 Uhr - 10.10 Uhr, Raum 213
  • Technical Session: Power Electronics for Utility Interface - Power Quality & Harmonics (Co-Vorsitz: D. Giacomini), T10, 8.00 Uhr - 10.10 Uhr, Raum 214B
  • Industry Session: Motor Drives, Inverters and Modules (Vorsitz: D. Levett), IS15, 14.00 Uhr - 17.25 Uhr, Raum 213
  • Technical Session: GaN Device Opportunities and Challenges (Co-Vorsitz: T. McDonald), T20, 14.00 Uhr - 17.30 Uhr, Raum 214D

Donnerstag, 8. März

  • Industry Session: Reliability and Ruggedness - How to Address These Challenges in Wide Bandgap Semiconductor Devices (Co-Vorsitz: T. McDonald), IS16, 8.30 Uhr - 11.30 Uhr, Raum 206
  • Industry Session: PMBus Implementation and Applications (Co-Vorsitz: R. Balasubramaniam), IS20, 8.30 Uhr - 11.30 Uhr, Raum 213
  • Poster Session: AC-DC Converters (Co-Vorsitz: D. Giacomini), D01, 11.30 Uhr - 14.00 Uhr, Hemisphere Ballroom C1 & C2
  • Poster Sessions: Miscellaneous Topics in DC-DC Converters II (Vorsitz: A. Pathak), D03, 11.30 Uhr - 14.00 Uhr, Hemisphere Ballroom C1 & C2

Weiterführende Informationen

Informationen zur Konferenz APEC 2017 finden Sie unter http://www.apec-conf.org/

Infineon Technologies AG veröffentlichte diesen Inhalt am 16 Februar 2018 und ist allein verantwortlich für die darin enthaltenen Informationen.
Unverändert und nicht überarbeitet weiter verbreitet am 16 Februar 2018 18:15:01 UTC.

Originaldokumenthttps://www.infineon.com/cms/de/about-infineon/press/market-news/2018/INFXX201802-028.html

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