Infineon Technologies : Sechste Generation von CoolSiC™ Schottky-Dioden 650 V von Infineon für schnelles Schalten
Am 26. September 2017 um 13:32 Uhr
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München, 26. September 2017 - Die Infineon Technologies AG stellt die CoolSiC™ Schottky Diode 650 V G6 vor. Die neueste Entwicklung innerhalb der CoolSiC Diodenfamilie basiert auf den herausragenden Merkmalen der fünften Generation. Sie sind deshalb gekennzeichnet durch Zuverlässigkeit, Qualität und Effizienzsteigerung. Die CoolSiC G6 Dioden eignen sich insbesondere für die CoolMOS™ 7 Familien der Spannungsklassen 600 V und 650 V. Sie zielen auf aktuelle und zukünftige Anwendungen in den Bereichen Server-, PC- und Telekom-Stromversorgungen sowie PV-Wechselrichter.
Die CoolSiC Schottky Diode 650 V G6 verfügt über ein neues Layout, eine neue Zellstruktur und ein neues proprietäres Schottky-Metallsystem. Daraus resultiert ein branchenweiter Bestwert für die Durchlassspannung V (1,25 V) und eine Kennzahl für Q x V , die um 17 Prozent niedriger liegt als bei der Vorgängergeneration. Wegen der besonderen Eigenschaften des Siliziumkarbids schaltet die Diode temperaturunabhängig und weist keine Sperr-Erholladung auf.
Das Design des Bausteins bietet einen verbesserten Wirkungsgrad über alle Lastfälle hinweg bei gleichzeitig erhöhter Leistungsdichte des Systems. Die CoolSiC Schottky Diode 650 V G6 sorgt daher für einen reduzierten Kühlungsbedarf, erhöhte Systemzuverlässigkeit und extrem schnelles Schalten. Die neue SiC-Diodengeneration weist das beste Preis-Leistungs-Verhältnis auf.
Verfügbarkeit
Die CoolSiC Schottky Diode 650 V G6 ist ab sofort lieferbar. Weitere Informationen sind erhältlich unter www.infineon.com/coolsic-g6.
Infineon Technologies AG veröffentlichte diesen Inhalt am 26 September 2017 und ist allein verantwortlich für die darin enthaltenen Informationen. Unverändert und nicht überarbeitet weiter verbreitet am 26 September 2017 11:31:00 UTC.
Infineon Technologies AG gehört zu den weltgrößten Herstellern von Halbleitern. Die Produktpalette des Konzerns umfasst Leistungshalbleiter, Sensoren, Mikrocontroller, digitale integrierte Schaltungen für Mischsignale und analoge Signale, gesonderte Halbleiter-Module, Schalter, integrierte Schnittstellen-Schaltungen, integrierte Schaltungen zur Motorsteuerung, RF-Leistungstransistoren, Spannungsregler sowie elektronische Sicherheitskomponenten. Der Umsatz verteilt sich auf die Geschäftsbereiche:
- automobilindustrie (50,5%): Halbleiterprodukte für die Automobilindustrie und Speicherprodukte für spezifische Anwendungen in den Bereichen Automobilindustrie, Industrie, Informationstechnologie, Telekommunikation und Unterhaltungselektronik;
- strom und sensorsysteme (23,3%): Halbleiter für energieeffiziente Stromversorgungen, mobile Geräte, Mobilfunknetzinfrastrukturen, Mensch-Maschine-Interaktion sowie Anwendungen mit besonderen Anforderungen an ihre Robustheit und Zuverlässigkeit;
- industrielle Leistungsregelung (13,5%): Halbleiterprodukte zur Umwandlung elektrischer Energie für kleine, mittlere und hohe Leistungsanwendungen, die bei der Herstellung, der verlustarmen Übertragung, der Speicherung und der effizienten Nutzung elektrischer Energie verwendet werden;
- vernetzte sichere Systeme (12,6%): Halbleiter für vernetzte Geräte, kartenbasierte Anwendungen und Regierungsdokumente; Mikrocontroller für Industrie-, Unterhaltungs- und Haushaltsanwendungen, Komponenten für Konnektivitätssysteme, verschiedene Kundenunterstützungssysteme;
- sonstige (0,1%).
Die geografische Aufteilung des Umsatzes ist wie folgt: Deutschland (12,4%), Europa / Naher Osten / Afrika (14,4%), China / Hongkong / Taiwan (32,3%), Japan (10,5%), Asien / Pazifik (15,9%), USA (12,1%) und Amerika (2,4%).
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