Infineon Technologies : Neues Gehäuse für OptiMOS™-Leistungs-MOSFETs ermöglicht Source-Down-Technologie von 25 V bis 100 V für 3,3 x 3,3 mm2-PQFN-Gehäuse

München - 7. Januar 2022 - Hohe Leistungsdichte, optimierte Leistung sowie einfache Handhabung sind zentrale Anforderungen beim Design moderner Leistungssysteme. Als praktische Lösung für derartige Herausforderungen beim Design von Endanwendungen stellt die Infineon Technologies AG die neue Generation der OptiMOS™ Source-Down (SD) Leistungs-MOSFETs vor. Die MOSFETs sind in einem 3,3 x 3,3 mm ² großen PQFN-Gehäuse untergebracht und verfügen über einen umfangreichen Spannungsklassenbereich von 25 V bis 100 V. Das Gehäuse setzt neue Maßstäbe bei der Leistung von Leistungs-MOSFETs, da es eine höheren Effizienz, eine höhere Leistungsdichte, ein besseres Wärmemanagement und eine niedrige Stückliste ermöglicht. Das PQFN-Gehäuse eignet sich für Anwendungen wie Motorantriebe, SMPS für Server und Telekommunikation und OR-ing sowie für Batteriemanagementsysteme.

Im Vergleich zum herkömmlichen Drain-Down-Konzept ermöglicht die neueste Source-Down-Gehäusetechnologie einen größeren Siliziumchip bei gleicher Gehäuseform. Darüber hinaus können die durch das Gehäuse verursachten Verluste, die die Gesamtleistung des Bauteils einschränken, reduziert werden. Das ermöglicht im Vergleich zu einem modernen Drain-Down-Gehäuse eine Reduzierung des R _DS(on) um bis zu 30 Prozent. Der Vorteil auf Systemebene ist eine Verkleinerung des Formfaktors mit der Möglichkeit, von einem 5 x 6 mm ² großen SuperSO8-Gehäuse auf ein 3,3 x 3,3 mm ² großes PQFN-Gehäuse umzusteigen, was eine Platzersparnis von etwa 65 Prozent bedeutet. Auf diese Weise kann der verfügbare Platz effektiver genutzt werden, was die Leistungsdichte und Systemeffizienz im Endsystem erhöht.

Zusätzlich wird beim Source-Down-Konzept die Wärme direkt über ein Wärmeleitpad in die Leiterplatte abgeleitet, anstatt über den Bonddraht oder die Kupferklemme. Dadurch verbessert sich der Wärmewiderstand R _thJC um mehr als 20 Prozent, von 1,8 K/W auf 1,4 K/W, und ermöglicht so ein einfacheres Wärmemanagement. Infineon bietet zwei verschiedene Grundflächenversionen und Layout-Optionen an: das SD Standard-Gate und das SD Center-Gate. Das Standard-Gate-Layout vereinfacht den Drop-in-Austausch von Drain-Down-Gehäusen, während das Center-Gate-Layout eine optimierte und einfachere Parallelisierung ermöglicht. Beide Varianten ermöglichen eine optimale Anordnung der Bauteile auf der Leiterplatte, optimierte parasitäre Eigenschaften der Leiterplatte und eine einfache Handhabung.

Verfügbarkeit

Die Leistungs-MOSFETs OptiMOS Source-Down sind ab sofort im PQFN-Gehäuse mit 3,3 x 3,3 mm ² in einer umfangreichen Auswahl an Spannungsklassen von 25 bis 100 V und in zwei verschiedenen Grundflächenversionen erhältlich. Weitere Informationen sind erhältlich unter www.infineon.com/source-down.

Mehr Informationen zum Beitrag von Infineon im Bereich Energieeffizienz: www.infineon.com/green-energy