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Infineon Technologies : EiceDRIVER™ 1EDB Einkanal-Gate-Treiber-IC-Familie mit integrierter galvanischer Trennung im kleinen 150 mil 8-Pin-DSO-Gehäuse

01.06.2021 | 09:40

München - 1. Juni 2021 - Die Infineon Technologies AG erweitert das ständig wachsende Portfolio an einkanaligen Gate-Treiber-ICs. Die neuen einkanaligen Gate-Treiber-ICs der EiceDRIVER™ 1EDB-Familie bieten eine galvanische Eingangs-zu-Ausgangs-Isolation von 3 kV rms (UL 1577), was eine robuste Massentrennung unterstützt. Mit einer Common-Mode Transient Immunity (CMTI) von über 300 V/ns sind die Bauteile die perfekte Wahl für harte Schaltanwendungen, mit denen zahlreiche Topologien umgesetzt werden können.

Die neue 1EDB-Familie umfasst vier Bauteile (1EDB6275F, 1EDB7275F, 1EDB8275F und 1EDB9275F) und ist sowohl für High-Side- als auch für Low-Side-Anwendungen optimiert. Diese können Probleme beim PCB-Layout beheben, die bei Hochleistungsanwendungen wie Server- und Telekommunikations- Schaltnetzteilen (SMPS) sowie unterbrechungsfreien Stromversorgungssystemen (USV) häufig auftreten. Aufgrund der hohen Anforderungen an die Leistungsdichte erfordern EV-Lade-Designs oft schnell schaltende Leistungs-MOSFETs. Photovoltaik-Wechselrichter profitieren von Siliziumkarbid-MOSFETs, da sie sowohl geringere Schaltverluste als auch eine höhere Leistungsdichte ermöglichen. Die neue 1EDB-Familie adressiert all diese Anwendungen und ermöglicht eine hohe Systemeffizienz sowie einen robusten und sicheren Systembetrieb.

Die Bauteile verfügen über einen separaten und sehr niederohmigen (0,95 Ω) Source- und (0,48 Ω) Sink-Ausgang. Dadurch wird das Design vereinfacht und typische Treiberstärken von 5,4 A peak Source und 9,8 A peak Sink ermöglicht - eine entscheidende Voraussetzung, um die Schaltverluste von Leistungs-MOSFETs zu reduzieren. Auch die Genauigkeit der Eingangs-zu-Ausgangslaufzeit von +/- 4 ns trägt zur Reduzierung der Schaltverluste bei, was bei schnell schaltenden Anwendungen unerlässlich ist. Die typische Klemmgeschwindigkeit der Endstufe beträgt 20 ns, was einen funktionssicheren Systembetrieb unterstützt, insbesondere beim Hochfahren.

Entwickler können für die Ausgangsspannung zwischen vier verschiedenen Optionen beim Unterspannungsschutz (UVLO) wählen:

  • 4,0 V für Logic-Level-MOSFETs (1EDB7275F)
  • 7,0 V für Normal-Level-MOSFETs (1EDB8275F)
  • 12 V für CoolSiC™ MOSFETs 650 V (15 V Ansteuerungsschema, (1EDB6275F)
  • 14 V für CoolSiC™-MOSFETs 650 V (≥18 V Ansteuerungsschema, 1EDB9275F)

Verfügbarkeit

Die EiceDRIVER 1EDB7275F und 1EDB8275F sind in 150 mil 8-pin-DSO-Gehäusen verfügbar und können ab sofort bestellt werden. Die Varianten 1EDB6275F und 1EDB9275F folgen in Kürze. Weitere Informationen sind erhältlich unter www.infineon.com/1EDB.

Disclaimer

Infineon Technologies AG published this content on 01 June 2021 and is solely responsible for the information contained therein. Distributed by Public, unedited and unaltered, on 01 June 2021 07:39:00 UTC.


© Publicnow 2021
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