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Infineon Technologies : 650 V Fast-Levelshift SOI EiceDRIVER™ mit integrierten Bootstrap-Dioden bietet überlegene Robustheit und schnelle Frequenzumschaltung

17.03.2021 | 00:00

München - 17. März 2021 - Die Infineon Technologies AG erweitert das EiceDRIVER™-Portfolio um die neuen 650-V-Halbbrücken- sowie High- und Low-Side-Gate-Treiber. Die neuen Bauteile basieren auf der einzigartigen Silicon-on-Insulator-(SOI)-Technologie des Unternehmens. Sie bieten eine besonders gute Immunität bei negativen VS-Transienten und die monolithische Integration von echten Bootstrap-Dioden. All diese Eigenschaften reduzieren die Anzahl der Komponenten in der Applikation und ermöglichen robustere Designs mit MOSFETs und IGBTs bei einem kompakten Formfaktor. Die Fast-Levelshift-(FLS)-Familie ist auf Hochfrequenzanwendungen wie Netzteile und unterbrechungsfreie Stromversorgungen sowie industrielle Antriebe und eingebettete Umrichteranwendungen, Haushaltsgeräte, Elektrowerkzeuge, Motorsteuerung für Lüfter und Pumpen zugeschnitten.

Der EiceDRIVER 2ED2110S06M ist ein 2,5-A-Hochstromtreiber, während die EiceDRIVER 2ED2101/03/04 0,7-A-Niederstromtreiber sind. Die Niederstrom-Bauteile sind im DSO-8-Gehäuse erhältlich, der 2,5-A-Treiber wird in einem DSO-16W-Gehäuse geliefert. Mit 90 ns Laufzeitverzögerung und einer Laufzeitverzögerungsvariation von maximal 10 ns unterstützen sie sowohl Hochfrequenzschaltungen im Bereich von 500 kHz als auch traditionelle Anwendung im Bereich Motorsteuerung. Der 2ED2110S06M unterstützt Shutdown-Funktionen sowie separate Logik- und Leistungsmasse. Die integrierten Bootstrap-Dioden bieten eine ultraschnelle Sperrverzögerungszeit mit einem typischen Einschaltwiderstand von 30 Ω.

Die Immunität gegenüber negativer VS-Transientenspannungen von -100 V mit sich wiederholenden 300 ns langen Impulsen, machen die Gate-Treiber überaus robust und ermöglichen einen zuverlässigen Betrieb. Die integrierte Totzeit gegen Halbbrücken-Querströme und die unabhängige Unterspannungsabschaltung (UVLO) für die Hoch- und Niederspannungsversorgung sorgen für einen sicheren Betrieb. Die EiceDRIVER 2ED2110S06M und 2ED2101/03/04 S06F können ohne weiteres die Bauteile der früheren Generation IR(S)2110/2113S und IR(S)2101/03/04S ersetzen.

Verfügbarkeit

Die EiceDRIVER 2E2110S und 2ED2101/03/04 können ab sofort in den Standard-Gehäusen DSO-8 (SOIC8) und DSO-16W mit 2 kV HBM ESD-Klassifizierung bestellt werden. Weitere Informationen sind erhältlich unter www.infineon.com/EiceDRIVER.

Disclaimer

Infineon Technologies AG published this content on 17 March 2021 and is solely responsible for the information contained therein. Distributed by Public, unedited and unaltered, on 15 April 2021 09:40:05 UTC.


© Publicnow 2021
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