Everspin Technologies, Inc. kündigt EMxxLX xSPI-Produktfamilie an
Am 03. Mai 2022 um 14:00 Uhr
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Everspin Technologies, Inc. hat bekannt gegeben, dass das Unternehmen mit der Kundenbemusterung seiner neuen Familie von MRAM-Produkten mit SPI/QSPI/xSPI-Schnittstelle begonnen hat. Der EMxxLX ist der weltweit leistungsstärkste persistente Speicher mit einer vollen Lese- und Schreibbandbreite von 400 Megabyte pro Sekunde über die neue erweiterte JEDEC-Standardschnittstelle Serial Peripheral Interface (xSPI). Mit Speicherdichten von 8Mbit bis zu 64Mbit ist diese Produktfamilie für den Einsatz in industriellen IoT- und Embedded Systems-Anwendungen gedacht.
Es wird erwartet, dass der neue JEDEC xSPI-Standard die am weitesten verbreitete Methode für den Zugriff auf Datenspeicher und Codespeicher in eingebetteten Systemen wird. Der EMxxLX wird durch den xSPI Multiple Bus Memory Controller von Everspins Partner Synaptic Laboratories Ltd. (SLL). Die xSPI MBMC IP von SLL unterstützt die meisten gängigen FPGA-Bausteinfamilien und bald auch ASICs mit bis zu 400 Mbyte/s Leitungsgeschwindigkeit. Die Serienproduktion der EMxxLX-Serie wird in der zweiten Hälfte des Jahres 2022 verfügbar sein.
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Everspin Technologies, Inc. ist ein Anbieter von magnetoresistiven Random-Access-Memory (MRAM) Lösungen. Die MRAM-Lösungen des Unternehmens bieten einen nichtflüchtigen Speicher mit der Geschwindigkeit und Ausdauer eines Random-Access-Speichers (RAM) und ermöglichen den Schutz unternehmenskritischer Daten, insbesondere im Falle einer Stromunterbrechung oder eines Stromausfalls. Das Portfolio an MRAM-Technologien umfasst Toggle MRAM und Spin-transfer Torque MRAM (STT-MRAM). Die Toggle-MRAM-Produkte verfügen über Schnittstellen nach Industriestandard, darunter Parallel-, Serial Peripheral Interface (SPI) und Quad SPI (QSPI) Schnittstellen. Die STT-MRAM-Technologie des Unternehmens liefert Produkte für dynamische Direktzugriffsspeicher (DRAM), SRAM und NOR Flash-Anwendungen. Das Unternehmen bietet seine Produkte mit DDR3- und DDR4-Derivat-Schnittstellen an, wodurch der Ersatz von batteriegestütztem DRAM durch STT-MRAM erleichtert wird. Seine 3D-Tunnelmagnetowiderstandssensoren (TMR) bieten eine hohe magnetische Empfindlichkeit in einer einzigen Komponente, die 3D-Magnetfeldmessungen in einer monolithischen Lösung durchführt.