Everspin Technologies, Inc. hat bekannt gegeben, dass das Unternehmen über Entwicklungsmuster seines neuesten STT-MRAM mit hoher Speicherdichte, dem EM128LX, verfügt. Dieses Produkt unterstützt das Expanded SPI (xSPI) Standardprotokoll und hat eine Kapazität von 128 Megabit, das Doppelte des zuvor angekündigten 64Mbit EM064LX. Die Kombination aus erhöhter Dichte mit einer vollen Lese- und Schreibbandbreite von bis zu 233 Megabyte/Sekunde bedeutet, dass Systementwickler jetzt die Möglichkeit haben, Code- und Datenspeicher auf demselben Baustein zu vereinen und so Kosten, Stromverbrauch und Fläche zu reduzieren.

Mit ultraschneller Schreibgeschwindigkeit und Datenpersistenz bietet der EM128LX FPGA-Systementwicklern eine extrem schnelle Konfiguration, Instant-On-Boot-Fähigkeit und schnelle Aktualisierungen kritischer Anwendungsparameter wie Gewichtungstabellen in KI-Anwendungen. Der EM128LX wird in zwei Industriestandard-Gehäusetypen angeboten, einem 24-Ball BGA und einem 8-Pin DFN. Das fortschrittliche Spin-Transfer-Torque-MRAM (STT-MRAM) von Everspin bietet eine Datenspeicherung von mehr als 10 Jahren, eine praktisch unbegrenzte Lebensdauer bei Schreibzyklen und ist mit einer xSPI-Schnittstelle ausgestattet, die die Betriebsarten NOR-Flash und serielles SRAM unterstützt.

Es wird erwartet, dass der neue JEDEC xSPI-Standard die am weitesten verbreitete Methode für den Zugriff auf Datenspeicher und Codespeicher in eingebetteten Systemen wird. Kundenmuster sind ab sofort verfügbar, die Serienproduktion des EM128LX wird Anfang 2023 beginnen.