Everspin Technologies, Inc. Kündigt neuen STT-MRAM EM128LX xSPI-Speicher an
Am 02. August 2022 um 05:34 Uhr
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Everspin Technologies, Inc. hat bekannt gegeben, dass das Unternehmen über Entwicklungsmuster seines neuesten STT-MRAM mit hoher Speicherdichte, dem EM128LX, verfügt. Dieses Produkt unterstützt das Expanded SPI (xSPI) Standardprotokoll und hat eine Kapazität von 128 Megabit, das Doppelte des zuvor angekündigten 64Mbit EM064LX. Die Kombination aus erhöhter Dichte mit einer vollen Lese- und Schreibbandbreite von bis zu 233 Megabyte/Sekunde bedeutet, dass Systementwickler jetzt die Möglichkeit haben, Code- und Datenspeicher auf demselben Baustein zu vereinen und so Kosten, Stromverbrauch und Fläche zu reduzieren.
Mit ultraschneller Schreibgeschwindigkeit und Datenpersistenz bietet der EM128LX FPGA-Systementwicklern eine extrem schnelle Konfiguration, Instant-On-Boot-Fähigkeit und schnelle Aktualisierungen kritischer Anwendungsparameter wie Gewichtungstabellen in KI-Anwendungen. Der EM128LX wird in zwei Industriestandard-Gehäusetypen angeboten, einem 24-Ball BGA und einem 8-Pin DFN. Das fortschrittliche Spin-Transfer-Torque-MRAM (STT-MRAM) von Everspin bietet eine Datenspeicherung von mehr als 10 Jahren, eine praktisch unbegrenzte Lebensdauer bei Schreibzyklen und ist mit einer xSPI-Schnittstelle ausgestattet, die die Betriebsarten NOR-Flash und serielles SRAM unterstützt.
Es wird erwartet, dass der neue JEDEC xSPI-Standard die am weitesten verbreitete Methode für den Zugriff auf Datenspeicher und Codespeicher in eingebetteten Systemen wird. Kundenmuster sind ab sofort verfügbar, die Serienproduktion des EM128LX wird Anfang 2023 beginnen.
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Everspin Technologies, Inc. ist ein Anbieter von magnetoresistiven Random-Access-Memory (MRAM) Lösungen. Die MRAM-Lösungen des Unternehmens bieten einen nichtflüchtigen Speicher mit der Geschwindigkeit und Ausdauer eines Random-Access-Speichers (RAM) und ermöglichen den Schutz unternehmenskritischer Daten, insbesondere im Falle einer Stromunterbrechung oder eines Stromausfalls. Das Portfolio an MRAM-Technologien umfasst Toggle MRAM und Spin-transfer Torque MRAM (STT-MRAM). Die Toggle-MRAM-Produkte verfügen über Schnittstellen nach Industriestandard, darunter Parallel-, Serial Peripheral Interface (SPI) und Quad SPI (QSPI) Schnittstellen. Die STT-MRAM-Technologie des Unternehmens liefert Produkte für dynamische Direktzugriffsspeicher (DRAM), SRAM und NOR Flash-Anwendungen. Das Unternehmen bietet seine Produkte mit DDR3- und DDR4-Derivat-Schnittstellen an, wodurch der Ersatz von batteriegestütztem DRAM durch STT-MRAM erleichtert wird. Seine 3D-Tunnelmagnetowiderstandssensoren (TMR) bieten eine hohe magnetische Empfindlichkeit in einer einzigen Komponente, die 3D-Magnetfeldmessungen in einer monolithischen Lösung durchführt.