Die DENSO Corporation und United Semiconductor Japan Co. Ltd. gaben bekannt, dass die Unternehmen vereinbart haben, bei der Produktion von Leistungshalbleitern in der 300mm-Fabrik von USJC zusammenzuarbeiten, um die wachsende Nachfrage im Automobilmarkt zu bedienen. In der Waferfabrik von USJC wird eine Linie für Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBT) installiert, die als erste in Japan IGBTs auf 300-mm-Wafern herstellen wird.

DENSO wird seine systemorientierten IGBT-Bauelemente und Prozesstechnologien beisteuern, während USJC seine Fertigungskapazitäten für 300-mm-Wafer zur Verfügung stellen wird, um den 300-mm-IGBT-Prozess in die Massenproduktion zu bringen, die in der ersten Hälfte des Jahres 2023 beginnen soll. Diese Zusammenarbeit wird durch das Erneuerungs- und Dekarbonisierungsprogramm für unverzichtbare Halbleiter des japanischen Ministeriums für Wirtschaft, Handel und Industrie unterstützt. Da sich die Entwicklung und Einführung von Elektroautos im Rahmen der weltweiten Bemühungen um eine Reduzierung der Kohlenstoffemissionen beschleunigt, steigt auch die Nachfrage nach Halbleitern, die für die Elektrifizierung von Fahrzeugen benötigt werden, rapide an.

IGBTs sind zentrale Bauelemente in Leistungskarten und dienen als effiziente Leistungsschalter in Wechselrichtern zur Umwandlung von Gleich- und Wechselströmen, um Elektromotoren anzutreiben und zu steuern.