Cadence Design Systems, Inc. gab bekannt, dass Cadence® RFIC-Lösungen den N16RF Design Reference Flow und das Process Design Kit (PDK) von TSMC unterstützen, um die nächste Generation von Mobilfunk-, 5G- und Automotive-Anwendungen zu beschleunigen. Die fortgesetzte Zusammenarbeit zwischen Cadence und TSMC ermöglicht es gemeinsamen Kunden, mit Cadence-Lösungen für die mmWave-Halbleitertechnologie N16RF von TSMC zu entwickeln. Die RFIC-Lösungen von Cadence unterstützen die Cadence Intelligent System Designo Strategie, die ein exzellentes System-on-Chip (SoC) Design ermöglicht.

Der vollständige RF Design Reference Flow umfasst die Modellierung passiver Bauelemente, Optimierung auf Blockebene, empfindliche Layout-Routing-Netze, EM-Parasitics Signoff, EM-IR-Analyse mit kundenspezifischen Passiven und Selbsterwärmung. Der Referenzfluss enthält mehrere Produkte, die für die N16RF mmWave-Prozesstechnologie von TSMC optimiert sind, darunter den Cadence Virtuoso® Schematic Editor, die Virtuoso ADE Product Suite und den integrierten Spectre® X Simulator mit RF-Option. Darüber hinaus bietet der Flow eine leistungsstarke elektromagnetische (EM) Modellerzeugung mit dem Cadence EMX® 3D Planar Solver für die nahtlose Rückannotation von S-Parameter-Modellen in goldene Schaltpläne und eine EM-IR-Analyse mit Selbsterhitzung mit der Voltuso-Fi Custom Power Integrity Solution, die eine automatische Verwaltung von EM- und RCX-Modellen für HF-genaue Ergebnisse ermöglicht.

Der Flow ermöglicht es Anwendern, Eckensimulationen effektiv zu verwalten und Design-Robustheit zu erreichen. Der EMX Planar 3D Solver und die Quantuso Parasitic Extraction sind in die Virtuoso-Plattform integriert und ermöglichen die schichtweise Extraktion von Kopplungseffekten und garantieren eine vollständige EM-Parasitärsignierung des Designs. Der Cadence RFIC Full Flow bietet eine effiziente Methodik, die es Ingenieuren ermöglicht, die Designziele Performance, Leistungseffizienz und Zuverlässigkeit in einer einzigen, eng integrierten Designumgebung zu erreichen.