ASM International N.V. hat die PE2O8 Siliziumkarbid-Epitaxieanlage vorgestellt, eine neue Doppelkammer-Plattform für die Siliziumkarbid (SiC)-Epitaxie (Epi). Die PE2O8 wurde entwickelt, um den Anforderungen des Segments der fortschrittlichen SiC-Leistungsbauelemente gerecht zu werden. Sie ist das Benchmark-Epitaxiesystem für niedrige Defektivität, hohe Prozessgleichmäßigkeit, höheren Durchsatz und niedrige Betriebskosten, die für eine breitere Einführung von SiC-Bauelementen erforderlich sind. Das einzigartige Design der PE2O8-Anlage mit zwei Kammern ermöglicht die Abscheidung von SiC mit ultrapräziser Kontrolle und damit eine höhere Ausbeute und einen höheren Durchsatz.

Das äußerst kompakte Zweikammerdesign ermöglicht eine hohe Produktivität und niedrige Gesamtbetriebskosten. Darüber hinaus zeichnet sich das System durch einen einfachen Ansatz zur vorbeugenden Wartung aus, der die Betriebszeit erhöht und das Auftreten ungeplanter Ausfallzeiten reduziert. Das System wurde bereits an mehrere Kunden auf der ganzen Welt geliefert, darunter führende Hersteller von SiC-Leistungsbauelementen.