AIXTRON SE optoelektronischer Bauelemente / AIXTRON unterstützt Entwicklung von GaAs- und InP-basierter Optoelektronik in Japan
EQS-Media / 18.10.2022 / 07:30 CET/CEST
Furukawa in Japan setzt auf AIXTRONs MOCVD-Technologie zur Herstellung
optoelektronischer Bauelemente
AIXTRON unterstützt Entwicklung von GaAs- und InP-basierter Optoelektronik in
Japan
Herzogenrath, 18. Oktober 2022 - AIXTRON SE (FSE: AIXA), ein weltweit führender
Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, hat einen Auftrag
über eine AIX 2800G4 MOCVD-Anlage von FURUKAWA FITEL OPTICAL DEVICE CO. (FFOD),
einem in Japan ansässigen Hersteller von Verbindungshalbleitern, erhalten. Die
Anlage wird für die Entwicklung und Produktion von optoelektronischen
Bauelementen auf der Basis von Galliumarsenid (GaAs) und Indiumphosphid (InP)
eingesetzt.
Die AIX 2800G4-Plattform ist die etablierte und marktführende Anlage für die
Produktion verschiedener Halbleiterbauelemente aufgrund der unübertroffenen
Leistung des Planetary Reactor(R)-Konzepts in Bezug auf die Kontrolle der
Schichtdicken und der Wellenlängenhomogenität von Epitaxieschichten. Das
bewährte System für die Großserienfertigung bietet höchste Effizienz beim
Einsatz der Rohstoffe und liefert dank der Prozesskontrolle auf Waferebene
hervorragende Erträge für modernste optische Bauelemente.
"Wir freuen uns sehr, dass Furukawa einer unserer G4-Nutzer wird. Die Plattform
ist der zuverlässige und etablierte Industriestandard für die anspruchsvollsten
Epitaxieanforderungen und hat zum Erfolg vieler Kunden beigetragen. Mit unserem
Team von Hardware- und Prozessexperten in Japan freuen wir uns auf diese neue
Zusammenarbeit und unterstützen Furukawa dabei, die Plattform schnell für ihre
bestehenden und zukünftigen Produkte zu nutzen", sagt Dr. Felix Grawert,
Vorstandsvorsitzender der AIXTRON SE.
Ansprechpartner
Guido Pickert
Vice President Investor Relations & Corporate Communications
fon +49 (2407) 9030-444
e-mail g.pickert@aixtron.com
Über AIXTRON
Die AIXTRON SE (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) ist ein führender Anbieter von
Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983
gegründet und hat seinen Sitz in Herzogenrath (Städteregion Aachen) sowie
Niederlassungen und Repräsentanzen in Asien, den USA und in Europa. Die
Technologielösungen der Gesellschaft werden weltweit von einem breiten
Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen für elektronische
und optoelektronische Anwendungen auf Basis von
Verbindungshalbleitermaterialien genutzt. Diese Bauelemente werden in einer
Vielzahl innovativer Anwendungen, Technologien und Industrien eingesetzt. Dazu
gehören beispielsweise Laser-, LED-, und Displaytechnologien, Datenübertragung,
SiC- und GaN-Energiemanagement und -umwandlung, Kommunikation, Signal- und
Lichttechnik sowie viele weitere anspruchsvolle High-Tech-Anwendungen.
Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT(R), AIXTRON(R), Close Coupled
Showerhead(R), Gas Foil Rotation(R), OVPD(R), Planetary Reactor(R), PVPD(R), TriJet(R)
Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) sind im
Internet unter www.aixtron.com verfügbar.
Zukunftsgerichtete Aussagen
Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die Finanz-
und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON enthalten. Begriffe wie
"können", "werden", "erwarten", "rechnen mit", "erwägen", "beabsichtigen",
"planen", "glauben", "fortdauern" und "schätzen", Abwandlungen solcher Begriffe
oder ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese zukunftsgerichteten Aussagen. Solche
zukunftsgerichtete Aussagen geben die gegenwärtigen Beurteilungen, Erwartungen
und Annahmen des AIXTRON Managements, von denen zahlreiche außerhalb des
AIXTRON Einflussbereiches liegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender
Risiken und Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die
zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder Ungewissheiten
realisieren oder sollten zugrunde liegende Erwartungen zukünftig nicht
eintreten beziehungsweise es sich herausstellen, dass Annahmen nicht korrekt
waren, so können die tatsächlichen Ergebnisse, Leistungen und Erfolge von
AIXTRON wesentlich von denjenigen Ergebnissen abweichen, die ausdrücklich oder
implizit in der zukunftsgerichteten Aussage genannt worden sind. Dies kann
durch Faktoren verursacht werden, wie zum Beispiel die tatsächlich von AIXTRON
erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang der Marktnachfrage nach
Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der endgültigen Abnahme von Erzeugnissen
durch die Kunden, das Finanzmarktklima und die Finanzierungsmöglichkeiten von
AIXTRON, die allgemeinen Marktbedingungen für Depositionsanlagen, und das
makroökonomische Umfeld, Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei
Produktlieferungen, Beschränkungen der Produktionskapazität, lange Verkaufs-
und Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die
allgemeine Entwicklung der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des
Wettbewerbs, Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel,
Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen, Verzögerungen bei
der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung der
allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die AIXTRON in
öffentlichen Berichten und Meldungen, insbesondere im Abschnitt Risiken des
Jahresberichts, beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene
zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen und
Prognosen des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung
verfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur
Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer
Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, soweit keine
ausdrückliche rechtliche Verpflichtung besteht.
Dieses Dokument liegt ebenfalls in englischer Übersetzung vor, bei Abweichungen
geht die deutsche maßgebliche Fassung des Dokuments der englischen Übersetzung
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