AIXTRON SE für Siliziumkarbid-Epitaxie auf den Markt
DGAP-Media / 13.09.2022 / 07:30 CET/CEST
AIXTRON bringt die G10-SiC 200 mm Produktlösung der nächsten Generation für
Siliziumkarbid-Epitaxie auf den Markt
Herzogenrath, 13. September 2022 - AIXTRON SE hat seine neue G10-SiC 200
mm-Anlage für die Herstellung von Siliziumkarbid-Bauelementen ("SiC") der
neuesten Generation auf 150/200 mm SiC-Wafern vorgestellt. Dieses
Hochtemperatur-CVD-System, das die Innovation auf die nächste Stufe hebt, wurde
gerade auf der Internationalen Konferenz für Siliziumkarbid und verwandte
Materialien (ICSCRM) angekündigt, die derzeit in Davos, Schweiz, stattfindet.
SiC, das Materialsystem mit großer Bandlücke (wide-band-gap) ist auf dem besten
Weg, zur Mainstream-Technologie für effiziente Leistungselektronik zu werden.
SiC trägt wesentlich zur Dekarbonisierung unserer modernen Gesellschaft bei und
unterstützt damit den Klimaschutz. Angetrieben durch den zunehmenden Einsatz
von SiC-basierten Leistungshalbleitern im Rahmen von Elektromobilitätslösungen
steigt die weltweite Nachfrage nach SiC-Wafern rapide an, was durch die
Motivation, die Abhängigkeit von der Ölversorgung zu verringern, noch
beschleunigt wird.
Das neue G10-SiC-System baut auf unserer anerkannten G5 WW C 150 mm-Plattform
auf und bietet eine flexible Konfiguration mit zwei Wafergrößen: 9x150 und
6x200 mm. Diese Funktion ist entscheidend für die Entwicklung der SiC-Industrie
von derzeit 150 mm (6 Zoll) auf 200 mm (8 Zoll) Waferdurchmesser. Die neue
Plattform basiert auf unserer bewährten Lösung zur vollautomatischen
Waferbeladung von Kassette zu Kassette (Cassette-to-Cassette) inklusive
Hochtemperatur-Wafertransfer. In Kombination mit den Prozessfähigkeiten für
hohe Wachstumsraten bietet die G10-SiC den klassenbesten Wafer-Durchsatz und
Durchsatz pro Quadratmeter zur effizienten Nutzung begrenzter Reinraumflächen
in Halbleiterfabriken.
Die AIXTRON G10-SiC-Anlage unterstützt eine Vielzahl von Bauelementestrukturen,
einschließlich Einzel- und Doppeldriftschichtstrukturen, die die strengen
150-mm-Gleichförmigkeitsanforderungen von Sigma-Werten von weniger als 2% für
Dotierung und Dicke erfüllen. Durch die automatische Beladung der Wafer wird
das Risiko von Partikelfehlern auf ein Minimum reduziert, was zu einer
typischen Fehlerzahl von < 0,02/cm2 führt.
"Dies ist ein Hochleistungssystem der wirklich allerneuesten Generation. Die
neue Konfiguration mit zwei Wafergrößen unterstützt den Übergang von der
heutigen 150 mm-Wafertechnologie und sichert die Investitionen unserer Kunden
für die Zukunft. Mit dem höchsten Durchsatz in diesem Format maximiert die
Anlage die Produktivität und die Fähigkeit, die Produktionsleistung noch
schneller zu steigern", sagt Dr. Frank Wischmeyer, Vice President SiC bei
AIXTRON. Gleichzeitig optimiert die neu entwickelte in-situ Temperaturregelung
an der Waferoberseite (TTC) die Prozesskontrolle auf Waferebene sowohl
innerhalb einer Charge als auch von Charge zu Charge. Dies führt zu einer
vorhersagbaren hohen Ausbeute unter Einhaltung engster
Produktionsspezifikationen zu wettbewerbsfähigen Kosten", fügt Dr. Wischmeyer
hinzu.
Die Gleichmäßigkeit der Epitaxieschichten ist entscheidend für eine hohe
Ausbeute an Bauelementen. Der hohe Durchsatz des Systems gepaart mit niedrigen
Verbrauchskosten pro prozessiertem Wafer führt zu den niedrigsten Kosten pro
Wafer in der Branche.
"Wir sind stolz darauf, unseren Partnern rund um den Globus eine weitere Lösung
anbieten zu können, die industriellen Top-Standard mit immensen Klimaeffekten
verbindet. Das positive Feedback unserer Partner und Kunden nach der
Evaluierung und Produktionsqualifizierung unserer neuen G10-SiC-Anlage hat
bereits zu weiterem Kundeninteresse geführt", sagt Dr. Felix Grawert,
Vorstandsvorsitzender der AIXTRON SE.
"Die G10-SiC entwickelt sich zu einem wichtigen Baustein für die weltweite
Produktionsausweitung unserer Kunden, und wir sind entschlossen, diese
Skalierung mit unserer modernen Systemfertigung sowie unserem hervorragenden
Service und Prozessunterstützung zu fördern.", sagt Dr. Grawert abschließend.
Ansprechpartner
Guido Pickert
Vice President Investor Relations & Corporate Communications
fon +49 (2407) 9030-444
e-mail g.pickert@aixtron.com
Über AIXTRON
Die AIXTRON SE (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) ist ein führender Anbieter von
Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983
gegründet und hat seinen Sitz in Herzogenrath (Städteregion Aachen) sowie
Niederlassungen und Repräsentanzen in Asien, den USA und in Europa. Die
Technologielösungen der Gesellschaft werden weltweit von einem breiten
Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen für elektronische
und optoelektronische Anwendungen auf Basis von
Verbindungshalbleitermaterialien genutzt. Diese Bauelemente werden in einer
Vielzahl innovativer Anwendungen, Technologien und Industrien eingesetzt. Dazu
gehören beispielsweise Laser-, LED-, und Displaytechnologien, Datenübertragung,
SiC- und GaN-Energiemanagement und -umwandlung, Kommunikation, Signal- und
Lichttechnik sowie viele weitere anspruchsvolle High-Tech-Anwendungen.
Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT(R), AIXTRON(R), Close Coupled
Showerhead(R), Gas Foil Rotation(R), OVPD(R), Planetary Reactor(R), PVPD(R), TriJet(R)
Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) sind im
Internet unter www.aixtron.com verfügbar.
Zukunftsgerichtete Aussagen
Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die Finanz-
und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON enthalten. Begriffe wie
"können", "werden", "erwarten", "rechnen mit", "erwägen", "beabsichtigen",
"planen", "glauben", "fortdauern" und "schätzen", Abwandlungen solcher Begriffe
oder ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese zukunftsgerichteten Aussagen. Solche
zukunftsgerichtete Aussagen geben die gegenwärtigen Beurteilungen, Erwartungen
und Annahmen des AIXTRON Managements, von denen zahlreiche außerhalb des
AIXTRON Einflussbereiches liegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender
Risiken und Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die
zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder Ungewissheiten
realisieren oder sollten zugrunde liegende Erwartungen zukünftig nicht
eintreten beziehungsweise es sich herausstellen, dass Annahmen nicht korrekt
waren, so können die tatsächlichen Ergebnisse, Leistungen und Erfolge von
AIXTRON wesentlich von denjenigen Ergebnissen abweichen, die ausdrücklich oder
implizit in der zukunftsgerichteten Aussage genannt worden sind. Dies kann
durch Faktoren verursacht werden, wie zum Beispiel die tatsächlich von AIXTRON
erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang der Marktnachfrage nach
Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der endgültigen Abnahme von Erzeugnissen
durch die Kunden, das Finanzmarktklima und die Finanzierungsmöglichkeiten von
AIXTRON, die allgemeinen Marktbedingungen für Depositionsanlagen, und das
makroökonomische Umfeld, Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei
Produktlieferungen, Beschränkungen der Produktionskapazität, lange Verkaufs-
und Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die
allgemeine Entwicklung der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des
Wettbewerbs, Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel,
Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen, Verzögerungen bei
der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung der
allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die AIXTRON in
öffentlichen Berichten und Meldungen, insbesondere im Abschnitt Risiken des
Jahresberichts, beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene
zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen und
Prognosen des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung
verfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur
Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer
Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, soweit keine
ausdrückliche rechtliche Verpflichtung besteht.
Dieses Dokument liegt ebenfalls in englischer Übersetzung vor, bei Abweichungen
geht die deutsche maßgebliche Fassung des Dokuments der englischen Übersetzung
vor.
Ende der Pressemitteilung
------------------------------------------------------------
Emittent/Herausgeber: AIXTRON SE
Schlagwort(e): Forschung/Technologie
13.09.2022 CET/CEST Veröffentlichung einer Pressemitteilung, übermittelt durch
DGAP - ein Service der EQS Group AG.
Für den Inhalt der Mitteilung ist der Emittent / Herausgeber verantwortlich.
Die DGAP Distributionsservices umfassen gesetzliche Meldepflichten, Corporate
News/Finanznachrichten und Pressemitteilungen.
Medienarchiv unter http://www.dgap.de
------------------------------------------------------------
Sprache: Deutsch
Unternehmen: AIXTRON SE
Dornkaulstraße 2
52134 Herzogenrath
Deutschland
Telefon: +49 (2407) 9030-0
Fax: +49 (2407) 9030-445
E-Mail: invest@aixtron.com
Internet: www.aixtron.com
ISIN: DE000A0WMPJ6
WKN: A0WMPJ
Indizes: MDAX, TecDAX
Börsen: Regulierter Markt in Frankfurt (Prime Standard); Freiverkehr in
Berlin, Düsseldorf, Hamburg, Hannover, München, Stuttgart,
Tradegate Exchange; Nasdaq OTC
EQS News ID: 1440793
Ende der Mitteilung DGAP-Media
------------------------------------------------------------
1440793 13.09.2022 CET/CEST
