AIXTRON SE Forschungsprojekt YESvGaN / Hohe Energieeffizienz und niedrige CO2-Emissionen durch GaN-Leistungstransistoren
DGAP-Media / 14.12.2021 / 10:09
AIXTRON sagt YESvGaN
Epitaxie-Spezialist AIXTRON ist Partner im EU-Forschungsprojekt YESvGaN / Hohe
elektrische Leistungsfähigkeit von Halbleitern mit großem Bandabstand zu
niedrigen Kosten wie in der Silizium-Industrie / Hohe Energieeffizienz und
niedrige CO2-Emissionen durch GaN-Leistungstransistoren / Größere Reichweite
für die Elektromobilität
Herzogenrath, 14. Dezember 2021 - Insbesondere die Digitalisierung hat einen
massiven Anstieg von Anwendungen und elektronischen Geräten und damit auch des
Verbrauchs an elektrischer Energie ausgelöst. Für die Sicherstellung der
Stromversorgung und einer umweltschonenden hohen Energienutzungseffizienz ist
eine intelligente und effiziente Leistungselektronik notwendig. Im Rahmen des
Forschungsprojekts "YESvGaN" (Vertical GaN on Silicon: Wide Band Gap Power at
Silicon Cost) sollen deshalb hocheffiziente Leistungstransistoren basierend auf
einer neuartigen Prozesstechnologie für die industrielle Herstellung in großen
Stückzahlen entwickelt werden.
Bei der Entwicklung neuartiger vertikaler Galliumnitrid
(GaN)-Leistungstransistoren mit Silizium als Substrat setzt das Konsortium auf
die Epitaxie-Expertise von AIXTRON SE (FSE: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6), einem
weltweit führenden Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie.
Denn für dieses Leistungsbauelement muss das Verbindungshalbleitermaterial
Galliumnitrid großflächig in Form von kristallinen Schichten auf einem
geeigneten, Substrat wie zum Beispiel einem Silizium-Wafer abgeschieden werden.
Verbindung zwischen Höchstleistung von Halbleitern mit großem Bandabstand und
Kostenvorteilen der Silizium-Technologie
"GaN-Leistungstransistoren auf Silizium-Wafern eröffnen uns die faszinierende
Möglichkeit, eine um etwa 15% höhere Leistungsdichte bei Galliumnitrid im
Vergleich zu Silizium (Si) mit den Kostenvorteilen der etablierten
Siliziumtechnologie zu verbinden. Die Leistung soll damit über der moderner
SiC-MOSFETs liegen bei Chipkosten, die mit denen von Si-IGBTs konkurrieren",
sagt Prof. Dr. Michael Heuken, Vice President Advanced Technologies bei AIXTRON
SE.
Möglich wird dies durch die Leistungsvorteile von vertikalen Wide-Band-Gap
(WBG)-Transistoren. Diese Eigenschaften erlauben es, dass die Transistoren aus
Wide-Band-Gap-Halbleitern wie Galliumnitrid (GaN) leistungsfähiger sind als
herkömmliche Silizium-Halbleiter. Die geringeren Energieverluste bei der
Schaltung hoher elektrischer Leistungen von bis zu 50% und die niedrigeren
Produktionskosten durch den Einsatz von Silizium-Wafern prädestinieren die
GaN-Leistungstransistoren für den Einsatz in vielen preissensiblen Anwendungen.
Hohe Energieeffizienz und niedrige CO2-Emissionen
"Hinzu kommt der Vorteil, dass mit ihnen der Energieverbrauch und die
CO2-Emissionen erheblich gesenkt werden können", fügt Prof. Dr. Michael Heuken
hinzu. Das "YESvGaN"-Konsortium schätzt die möglichen Stromeinsparungen durch
den konsequenten Einsatz von solchen YESvGaN-Vertikalmembran-GaN-Transistoren
in der EU im Jahr 2030 äquivalent der Leistung von sieben Atomkraftwerken oder
zehn Kohlekraftwerken ein.
Die Energieeffizienz macht den Einsatz dieser Transistoren insbesondere im
Bereich von Rechenzentren mit ihrem hohen Stromverbrauch bis hin zu
Traktionswechselrichtern für Elektrofahrzeuge attraktiv. Der Einsatz
verlustarmer Leistungselektronik leistet bei der Elektromobilität einen
wertvollen Beitrag nicht nur um Energie einzusparen, sondern auch um die
Reichweiten von Elektrofahrzeugen zu vergrößern.
Um die Marktdurchdringung von GaN-basierten Bauelementen weiter voranzutreiben,
erprobt AIXTRON darüber hinaus im Rahmen des Forschungsprojekts "YESvGaN" das
epitaktische Wachstum auf Wafern mit einem Durchmesser von 300 mm - derzeit
wird primär die MOCVD-Technologie zum kristallinen Wachstum auf 150 mm- bis 200
mm-Wafern eingesetzt. Für die Abscheidung von GaN-Schichten auf 300
mm-Silizium-Substraten entwickelt der Spezialist für Depositionssysteme auch
die dafür notwendige Anlagentechnologie.
"YESvGaN" bündelt die relevanten Kompetenzen entlang der Wertschöpfungskette in
einem Konsortium aus Großunternehmen, kleinen und mittelgroßen Unternehmen
sowie Instituten aus sieben europäischen Ländern: Partner sind neben AIXTRON SE
die Bosch GmbH, die Ferdinand-Braun-Institut gGmbH, das Leibnitz-Institut für
Höchstfrequenztechnik, das Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und
Bauelementetechnologie IISB, die Finepower GmbH, die X-FAB Dresden GmbH & Co.
KG, die X-FAB Global Services GmbH, die NanoWired GmbH und die Siltronic AG.
Europäische Partner sind Centre national de la recherche scientifique CNRS, Ion
Beam Services S.A., STMicroelectronics (Tours) SAS (Frankreich), EpiGan N.V.,
Universiteit Gent (Belgien), EV Group E. Thallner GmbH, Materials Center Leoben
Forschung GmbH (Österreich), Hexagam AB, Linkopings Universitet (Schweden),
Smart Induction Converter Technologies S.L., Universitat de València (Spanien),
AUREL S.P.A., Consorzio nazionale interuniversitario per la nanoelettronica,
Raw Power Srl (Italien).
"YESvGaN" wird von der Europäischen Union (EU) und den Mitgliedstaaten
gefördert (Fördernummer 16MEE0178).
Weitere Informationen: YESvGaN und AIXTRON
Ansprechpartner
Guido Pickert
Vice President Investor Relations & Corporate Communications
fon +49 (2407) 9030-444
e-mail g.pickert@aixtron.com
Rita Syre
Senior PR Manager
fon +49 (2407) 9030-3665
mobile +49 (162) 269 3791
e-mail r.syre@aixtron.com
Über AIXTRON
Die AIXTRON SE (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) ist ein führender Anbieter von
Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983
gegründet und hat seinen Sitz in Herzogenrath (Städteregion Aachen) sowie
Niederlassungen und Repräsentanzen in Asien, den USA und in Europa. Die
Technologielösungen der Gesellschaft werden weltweit von einem breiten
Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen für elektronische
und optoelektronische Anwendungen auf Basis von Verbindungshalbleiter- oder
organischen Halbleitermaterialien genutzt. Diese Bauelemente werden in einer
Vielzahl innovativer Anwendungen, Technologien und Industrien eingesetzt. Dazu
gehören beispielsweise Laser-, LED-, und Displaytechnologien, Datenübertragung,
SiC- und GaN-Energiemanagement und -umwandlung, Kommunikation, Signal- und
Lichttechnik sowie viele weitere anspruchsvolle High-Tech-Anwendungen.
Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT(R), AIXTRON(R), APEVA(R), Close
Coupled Showerhead(R), EXP(R), EPISON(R), Gas Foil Rotation(R), OptacapTM,
OVPD(R), Planetary Reactor(R), PVPD(R), STExS(R), TriJet(R)
Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) sind im
Internet unter www.aixtron.com verfügbar.
Zukunftsgerichtete Aussagen
Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die Finanz-
und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON enthalten. Begriffe wie
"können", "werden", "erwarten", "rechnen mit", "erwägen", "beabsichtigen",
"planen", "glauben", "fortdauern" und "schätzen", Abwandlungen solcher Begriffe
oder ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese zukunftsgerichteten Aussagen. Solche
zukunftsgerichtete Aussagen geben die gegenwärtigen Beurteilungen, Erwartungen
und Annahmen des AIXTRON Managements, von denen zahlreiche außerhalb des
AIXTRON Einflussbereiches liegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender
Risiken und Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die
zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder Ungewissheiten
realisieren oder sollten zugrunde liegende Erwartungen zukünftig nicht
eintreten beziehungsweise es sich herausstellen, dass Annahmen nicht korrekt
waren, so können die tatsächlichen Ergebnisse, Leistungen und Erfolge von
AIXTRON wesentlich von denjenigen Ergebnissen abweichen, die ausdrücklich oder
implizit in der zukunftsgerichteten Aussage genannt worden sind. Dies kann
durch Faktoren verursacht werden, wie zum Beispiel die tatsächlich von AIXTRON
erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang der Marktnachfrage nach
Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der endgültigen Abnahme von Erzeugnissen
durch die Kunden, das Finanzmarktklima und die Finanzierungsmöglichkeiten von
AIXTRON, die allgemeinen Marktbedingungen für Depositionsanlagen, und das
makroökonomische Umfeld, Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei
Produktlieferungen, Beschränkungen der Produktionskapazität, lange Verkaufs-
und Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die
allgemeine Entwicklung der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des
Wettbewerbs, Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel,
Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen, Verzögerungen bei
der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung der
allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die AIXTRON in
öffentlichen Berichten und Meldungen, insbesondere im Abschnitt Risiken des
Jahresberichts, beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene
zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen und
Prognosen des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung
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ausdrückliche rechtliche Verpflichtung besteht.
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Emittent/Herausgeber: AIXTRON SE
Schlagwort(e): Forschung/Technologie
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