AIXTRON SE Center for Materials Research / CCS 3x2-System für 2D-Materialien und GaN-Strukturen geht an die Boise State University, Idaho
DGAP-Media / 17.05.2022 / 09:38
AIXTRON liefert Depositionsanlagen für die Spitzenforschung an das Micron
Center for Materials Research CCS 3x2-System zur Abscheidung von 2D-Materialien
und Galliumnitrid (GaN)-Strukturen geht an die Boise State University, Idaho
Herzogenrath, 17. Mai 2022 - AIXTRON SE (FSE: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6), ein
führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, gab
heute bekannt, dass AIXTRON Ltd., eine Tochtergesellschaft der AIXTRON SE, eine
Depositionsanlage des Typs Close Coupled Showerhead(R) Metal-Organic Chemical
Vapor Deposition (CCS(R) MOCVD) für Verbindungshalbleitermaterialien an die Boise
State University liefern wird. Die CCS(R) 3x2-Anlage ist ein wesentlicher
Bestandteil einer Infrastrukturerweiterung, die der Boise State University
zugesprochen wurde.
Die AIXTRON CCS 3x2, die an Boise geliefert wird, hat eine Kapazität von 3x2"
Wafern. Die Anlage wird eine maximale Betriebstemperatur von 1.400 C haben, die
die Abscheidung von Graphen und hBN auf Saphir sowie neuartige Strukturen für
GaN-basierte UV-LEDs ermöglicht. Ausgestattet mit einer Vielzahl von Kanälen
für Gase und Metallorganika, ermöglicht das der Boise State University, die
modernsten 2D-Materialien abzuscheiden. Darüber hinaus wird die Anlage mit den
AIXTRON-eigenen In-situ-Messtechnologien ARGUS und EPISON ausgestattet sein,
die sich als entscheidend für die gleichmäßige und wiederholbare Herstellung
von 2D-Materialien auf Wafern erwiesen haben.
Mit Hilfe des CCS 3x2 will Boise State die Herstellung fortschrittlicher,
flexibler Hybridelektronik auf Basis von 2D-3D-Heterostrukturen ermöglichen.
Ziel ist es, die AIXTRON-Anlage zur Erforschung und Bewältigung der
Herausforderungen bei der großtechnischen Synthese und der Integration von
2D-Materialien in den Prozessablauf zur Herstellung von Halbleiterbauelementen
einzusetzen.
"Die AIXTRON-Anlage ist ein wichtiger Bestandteil des Ausbaus unserer
Forschungsinfrastruktur. Die AIXTRON Close Coupled Showerhead MOCVD-Anlage ist
in der Lage, sowohl Halbleitermaterialien auf atomarer Ebene als auch
herkömmliche Halbleiterschichten im Wafermaßstab zu erzeugen", sagt David
Estrada, stellvertretender Direktor des Boise State Center for Advanced Energy
Studies und außerordentlicher Professor an der Micron School of Materials
Science and Engineering.
Die AIXTRON CCS 3x2-Anlage wird voraussichtlich die einzige Anlage an einer
US-amerikanischen Universität sein, die speziell für die Herstellung von 2D-
und Nitrid-Verbindungshalbleitern im Wafer-Maßstab ausgelegt ist. Sie dient der
Ausbildung zukünftiger Halbleiterspezialisten auf Bachelor- und Master-Ebene
für die US-amerikanische Halbleiterindustrie.
In enger Zusammenarbeit mit AIXTRON wird das Forschungsteam der Boise State
einzigartige Materialeigenschaften, Algorithmen der künstlichen Intelligenz und
bahnbrechende Mikrofabrikationstechniken nutzen, um neuartige Technologien für
zukünftige Anwendungen zu entwickeln und voranzutreiben.
"Wir freuen uns, unsere Beziehungen zu den Vereinigten Staaten und der
akademischen Welt durch die Bereitstellung eines industrietauglichen
F&E-Reaktors für die Boise State University zu vertiefen. Unsere CCS 3x2-Anlage
liefert in zahlreichen Anwendungen erstklassige Ergebnisse für 2D-Materialien
im Wafer-Maßstab. Sie ist außerdem die einzige Anlagentechnologie, die für die
kombinierte 2D- und GaN-Forschung konfiguriert werden kann und gleichzeitig das
Wachstum von van-der-Waals-Heterostrukturen ermöglicht", erklärt Prof. Dr.
Michael Heuken, Vice President Advanced Technologies bei AIXTRON.
Ansprechpartner
Guido Pickert
Vice President Investor Relations & Corporate Communications
fon +49 (2407) 9030-444
e-mail g.pickert@aixtron.com
Über AIXTRON
Die AIXTRON SE (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) ist ein führender Anbieter von
Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983
gegründet und hat seinen Sitz in Herzogenrath (Städteregion Aachen) sowie
Niederlassungen und Repräsentanzen in Asien, den USA und in Europa. Die
Technologielösungen der Gesellschaft werden weltweit von einem breiten
Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen für elektronische
und optoelektronische Anwendungen auf Basis von
Verbindungshalbleitermaterialien genutzt. Diese Bauelemente werden in einer
Vielzahl innovativer Anwendungen, Technologien und Industrien eingesetzt. Dazu
gehören beispielsweise Laser-, LED-, und Displaytechnologien, Datenübertragung,
SiC- und GaN-Energiemanagement und -umwandlung, Kommunikation, Signal- und
Lichttechnik sowie viele weitere anspruchsvolle High-Tech-Anwendungen.
Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT(R), AIXTRON(R), Close Coupled
Showerhead(R), Gas Foil Rotation(R), OVPD(R), Planetary Reactor(R), PVPD(R), TriJet(R)
Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) sind im
Internet unter www.aixtron.com verfügbar.
Zukunftsgerichtete Aussagen
Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die Finanz-
und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON enthalten. Begriffe wie
"können", "werden", "erwarten", "rechnen mit", "erwägen", "beabsichtigen",
"planen", "glauben", "fortdauern" und "schätzen", Abwandlungen solcher Begriffe
oder ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese zukunftsgerichteten Aussagen. Solche
zukunftsgerichtete Aussagen geben die gegenwärtigen Beurteilungen, Erwartungen
und Annahmen des AIXTRON Managements, von denen zahlreiche außerhalb des
AIXTRON Einflussbereiches liegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender
Risiken und Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die
zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder Ungewissheiten
realisieren oder sollten zugrunde liegende Erwartungen zukünftig nicht
eintreten beziehungsweise es sich herausstellen, dass Annahmen nicht korrekt
waren, so können die tatsächlichen Ergebnisse, Leistungen und Erfolge von
AIXTRON wesentlich von denjenigen Ergebnissen abweichen, die ausdrücklich oder
implizit in der zukunftsgerichteten Aussage genannt worden sind. Dies kann
durch Faktoren verursacht werden, wie zum Beispiel die tatsächlich von AIXTRON
erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang der Marktnachfrage nach
Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der endgültigen Abnahme von Erzeugnissen
durch die Kunden, das Finanzmarktklima und die Finanzierungsmöglichkeiten von
AIXTRON, die allgemeinen Marktbedingungen für Depositionsanlagen, und das
makroökonomische Umfeld, Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei
Produktlieferungen, Beschränkungen der Produktionskapazität, lange Verkaufs-
und Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die
allgemeine Entwicklung der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des
Wettbewerbs, Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel,
Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen, Verzögerungen bei
der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung der
allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die AIXTRON in
öffentlichen Berichten und Meldungen, insbesondere im Abschnitt Risiken des
Jahresberichts, beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene
zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen und
Prognosen des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung
verfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur
Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer
Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, soweit keine
ausdrückliche rechtliche Verpflichtung besteht.
Dieses Dokument liegt ebenfalls in englischer Übersetzung vor, bei Abweichungen
geht die deutsche maßgebliche Fassung des Dokuments der englischen Übersetzung
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Emittent/Herausgeber: AIXTRON SE
Schlagwort(e): Forschung/Technologie
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