AIXTRON SE von Galliumoxid-Leistungselektronik / AIXTRON unterstützt US-Spitzenuniversität mit moderner MOCVD-Anlage für Forschung
DGAP-Media / 21.07.2022 / 07:32
AIXTRON CCS MOCVD-Anlage für die University of Texas in Austin zur Herstellung
von Galliumoxid-Leistungselektronik
AIXTRON unterstützt US-Spitzenuniversität mit moderner MOCVD-Anlage für
Forschung und Entwicklung
Herzogenrath, 21. Juli 2022 - AIXTRON SE (FSE: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6),
weltweit führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie,
gab heute bekannt, dass sie eine neue AIXTRON Close Coupled Showerhead
(CCS)-Beschichtungsanlage an die University of Texas at Austin,
Microelectronics Center (MRC), Department of Electrical and Computer
Engineering, liefern wird.
Die hochmoderne MOCVD-Beschichtungsanlage ist so konfiguriert, dass sie sowohl
Galliumoxid (Ga2O3) als auch Galliumnitrid (GaN)-basierte Materialien
verarbeiten kann. Beide Materialien sind als Materialien mit breiter und
ultrabreiter Bandlücke qualifiziert - Galliumoxid und seine Legierungen können
bei höheren Spannungen, Frequenzen und Temperaturen arbeiten als die
herkömmlichen Halbleitermaterialien. Diese Eigenschaften eröffnen neue
Anwendungen in den Bereichen Fotodioden und Leistungsschalter.
Hochflexibel - höchst zuverlässig
Die AIXTRON MOCVD-Anlage kann leicht von Galliumoxid- auf Galliumnitrid-Betrieb
umgeschaltet werden, was einen sicheren, fehlerfreien Betrieb der Anlage
ermöglicht. Das Herzstück der MOCVD-Anlage ist ein fortschrittlicher
Dreifach-Plenum-Showerhead, der dafür sorgt, dass die oxidierenden Materialien
bis zur Injektion in die Prozesskammer vollständig von den metallorganischen
und gasförmigen Vorläufern getrennt bleiben. Das System gewährleistet ein hohes
Maß an thermischer Gleichmäßigkeit durch das ARGUS-Temperaturmapping über den
Suszeptor und ist daher perfekt für High-End-Forschung und -Entwicklung
ausgelegt - sowohl in akademischen Einrichtungen als auch in innovativen
Privatunternehmen.
"Wir haben in der Vergangenheit sehr gute Erfahrungen mit AIXTRONs
CCS-Reaktoren für GaAs und InP-Materialien gemacht. Wir freuen uns auf die
Zusammenarbeit mit AIXTRON bei der Entwicklung neuartiger Epitaxieschichten und
Bauelemente mit dieser flexiblen Anlage für die beiden Materialien Ga2O3 und
GaN", sagt Professor Xiuling Li, Stiftungsprofessor im Fachbereich
Elektrotechnik und Computertechnik an der University of Texas in Austin und
ebenfalls IEEE-Fellow. "Dieser einzigartige MOCVD-Reaktor für die Deposition
von Galliumoxid und III-Nitriden wird die University of Texas an die Spitze der
Forschung in diesem Bereich bringen", sagt Professor Sanjay Banerjee,
Lehrstuhlinhaber und Direktor des MRC.
"Wir sind stolz auf die erneute Partnerschaft mit Prof. Li und einer so
renommierten US-Universität. Unsere CCS MOCVD-Anlagen haben eine hervorragende
Erfolgsbilanz bei der Unterstützung akademischer Arbeiten und bei der späteren
Skalierung auf Tier-1-Industrieunternehmen. Wir sind sehr gespannt auf die
Fortschritte bei Galliumoxid für die nächste Generation von
Leistungsbauelementen", sagt Dr. Felix Grawert, Vorstandsvorsitzender der
AIXTRON SE.
Ansprechpartner
Guido Pickert
Vice President Investor Relations & Corporate Communications
fon +49 (2407) 9030-444
e-mail g.pickert@aixtron.com
Über AIXTRON
Die AIXTRON SE (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) ist ein führender Anbieter von
Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983
gegründet und hat seinen Sitz in Herzogenrath (Städteregion Aachen) sowie
Niederlassungen und Repräsentanzen in Asien, den USA und in Europa. Die
Technologielösungen der Gesellschaft werden weltweit von einem breiten
Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen für elektronische
und optoelektronische Anwendungen auf Basis von
Verbindungshalbleitermaterialien genutzt. Diese Bauelemente werden in einer
Vielzahl innovativer Anwendungen, Technologien und Industrien eingesetzt. Dazu
gehören beispielsweise Laser-, LED-, und Displaytechnologien, Datenübertragung,
SiC- und GaN-Energiemanagement und -umwandlung, Kommunikation, Signal- und
Lichttechnik sowie viele weitere anspruchsvolle High-Tech-Anwendungen.
Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT(R), AIXTRON(R), Close Coupled
Showerhead(R), Gas Foil Rotation(R), OVPD(R), Planetary Reactor(R), PVPD(R), TriJet(R)
Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) sind im
Internet unter www.aixtron.com verfügbar.
Zukunftsgerichtete Aussagen
Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die Finanz-
und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON enthalten. Begriffe wie
"können", "werden", "erwarten", "rechnen mit", "erwägen", "beabsichtigen",
"planen", "glauben", "fortdauern" und "schätzen", Abwandlungen solcher Begriffe
oder ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese zukunftsgerichteten Aussagen. Solche
zukunftsgerichtete Aussagen geben die gegenwärtigen Beurteilungen, Erwartungen
und Annahmen des AIXTRON Managements, von denen zahlreiche außerhalb des
AIXTRON Einflussbereiches liegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender
Risiken und Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die
zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder Ungewissheiten
realisieren oder sollten zugrunde liegende Erwartungen zukünftig nicht
eintreten beziehungsweise es sich herausstellen, dass Annahmen nicht korrekt
waren, so können die tatsächlichen Ergebnisse, Leistungen und Erfolge von
AIXTRON wesentlich von denjenigen Ergebnissen abweichen, die ausdrücklich oder
implizit in der zukunftsgerichteten Aussage genannt worden sind. Dies kann
durch Faktoren verursacht werden, wie zum Beispiel die tatsächlich von AIXTRON
erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang der Marktnachfrage nach
Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der endgültigen Abnahme von Erzeugnissen
durch die Kunden, das Finanzmarktklima und die Finanzierungsmöglichkeiten von
AIXTRON, die allgemeinen Marktbedingungen für Depositionsanlagen, und das
makroökonomische Umfeld, Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei
Produktlieferungen, Beschränkungen der Produktionskapazität, lange Verkaufs-
und Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die
allgemeine Entwicklung der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des
Wettbewerbs, Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel,
Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen, Verzögerungen bei
der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung der
allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die AIXTRON in
öffentlichen Berichten und Meldungen, insbesondere im Abschnitt Risiken des
Jahresberichts, beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene
zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen und
Prognosen des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung
verfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur
Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer
Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, soweit keine
ausdrückliche rechtliche Verpflichtung besteht.
Dieses Dokument liegt ebenfalls in englischer Übersetzung vor, bei Abweichungen
geht die deutsche maßgebliche Fassung des Dokuments der englischen Übersetzung
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Emittent/Herausgeber: AIXTRON SE
Schlagwort(e): Forschung/Technologie
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ISIN: DE000A0WMPJ6
WKN: A0WMPJ
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