Hitachi Energy und Pakal Technologies haben eine Zusammenarbeit angekündigt, um gemeinsamen Mehrwert zu schaffen und nachhaltiges Wachstum zu fördern. Hitachi Energy wird den von Pakal Technologies entwickelten Insulated Gate Turn-Off (Thyristor), IGTO(t), Silizium-Leistungsschalter in sein Portfolio marktführender Hochspannungs-Leistungsmodule aufnehmen, beginnend mit Geräten, die in essenziellen Anwendungen wie Bahnverkehr, erneuerbare Energien, Energiespeicherung, KI und Rechenzentrumsinfrastruktur eingesetzt werden. Halbleiter sind in nahezu jedem kritischen System verbaut und bilden das Rückgrat eines stabilen und modernen Stromnetzes.

Die Zusammenarbeit adressiert eine der größten Herausforderungen der großflächigen Elektrifizierung: die Reduzierung von Energieverlusten und die Verbesserung der Gesamteffizienz bei der Hochspannungs-Leistungsumwandlung. Durch die Kombination der Expertise von Hitachi Energy im Bereich ModuldDesign mit der IGTO(t)-Innovation von Pakal Technologies – die im Vergleich zu heute weit verbreiteten Bauteilen 30% geringere Verluste aufweist – soll die Kooperation zu kumulierten täglichen Effizienzsteigerungen in der Energieinfrastruktur beitragen. Gemeinsam beabsichtigen die Unternehmen, die leistungsstärksten 3,3 kV-Leistungshalbleitermodule für Hitachi Energy zu produzieren, um diese dem wachsenden globalen Kundenstamm anzubieten. Damit sollen höhere Leistung, niedrigere Betriebskosten und eine größere langfristige Zuverlässigkeit in kritischen Elektrifizierungsprojekten erreicht werden.

Der IGTO(t) stellt den ersten neuen Hochspannungs-Silizium-Leistungshalbleiter seit der Einführung des IGBT in den 1980er Jahren dar. Der IGTO(t") erzielt bei hohen Strömen und Temperaturen 30% geringere Durchlassverluste als der IGBT, bleibt dabei jedoch mit bestehenden Modularchitekturen kompatibel. Auf Systemebene ermöglichen diese Leistungsfortschritte eine höhere Leistungsdichte, reduzierte thermische und Kühlanforderungen sowie eine deutlich verbesserte Energieeffizienz.