GigaDevice Semiconductor Inc. hat die Einführung seiner neuen Generation von Hochleistungs-xSPI-NOR-Flash-Produkten mit Dual-Voltage-Design bekannt gegeben - die GD25NX-Serie. Mit einem 1,8 V-Kern und einer 1,2 V-I/O-Architektur ermöglicht die GD25NX-Serie eine direkte Verbindung zu 1,2 V-System-on-Chips (SoCs) ohne externe Boosterschaltung. Dadurch wird der Stromverbrauch des Systems erheblich gesenkt und die Stücklistenkosten (BOM) reduziert. Dank ihrer hohen Datenübertragungsrate und herausragenden Zuverlässigkeit eignet sich die GD25NX-Serie ideal für anspruchsvolle Anwendungen wie Wearables, Rechenzentren, Edge-AI und Automobilelektronik, bei denen außergewöhnliche Stabilität, Reaktionsschnelligkeit und Energieeffizienz gefordert sind.
Der GD25NX xSPI NOR Flash unterstützt eine Octal-SPI-Schnittstelle mit einer maximalen Taktfrequenz von 200 MHz sowohl im Single Transfer Rate (STR)- als auch im Double Transfer Rate (DTR)-Modus. Dadurch wird ein Datendurchsatz von bis zu 400 MB/s erreicht. Das Produkt erzielt eine typische Page-Programmierzeit von 0,12 mA sowie eine Sektor-Löschzeit von 27 ms - das entspricht einer 30% schnelleren Programmierspeed und einer 10% kürzeren Löschzeit im Vergleich zu herkömmlichen 1,8 V Octal-Flash-Produkten. Zur Sicherung der Datenzuverlässigkeit sind in der GD25NX-Serie Fehlerkorrekturcode-Algorithmen (ECC) und zyklische Redundanzprüfung (CRC) integriert, um die Datenintegrität zu verbessern und die Produktlebensdauer zu verlängern. Darüber hinaus unterstützt die Serie eine Data-Strobe-Funktion (DQS), die die Signalqualität in Hochgeschwindigkeits-Systemdesigns gewährleistet und die strengen Anforderungen an die Datenübertragungsstabilität insbesondere in Rechenzentrums- und Automobilanwendungen erfüllt.
Basierend auf einer innovativen 1,2 V-I/O-Architektur bietet die GD25NX-Serie herausragende Leistung bei gleichzeitig exzellenter Energieeffizienz. Bei einer Frequenz von 200 MHz erreicht das Bauteil Leseströme von nur 16 mA im Octal I/O STR-Modus und 24 mA im Octal I- sowie Octal I/O DTR-Modus. Im Vergleich zu herkömmlichen 1,8 V Octal I/OSPI NOR Flash-Bausteinen reduziert das 1,2 V I/O-Design den Leseenergieverbrauch um bis zu 50% und steigert so die Energieeffizienz des Systems bei gleichbleibend hoher Geschwindigkeit - eine ideale Lösung für energieempfindliche Anwendungen.
Die GD25NX-Serie ist in Kapazitäten von 64 Mb und 128 Mb erhältlich und deckt damit vielfältige Speicheranforderungen in unterschiedlichsten Anwendungen ab. Die Bausteine sind in TFBGA24 8x6 mm (5x5 Ball Array) sowie WLCSP (4x6 Ball Array) Gehäusen verfügbar. Muster des 128 Mb GD25NX128J stehen Kunden bereits zur Evaluierung zur Verfügung, während Muster des 64 Mb GD25NX64J derzeit vorbereitet werden.
