Kurs NVE Corporation

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Realtime-Estimate Cboe BZX 20:55:20 28.03.2024 % 5 Tage % 1. Jan.
90,05 USD +2,89 % Intraday Chart für NVE Corporation +4,86 % +14,75 %
Umsatz 2022 26,99 Mio. 25,02 Mio. Umsatz 2023 38,25 Mio. 35,46 Mio. Marktwert 401 Mio. 372 Mio.
Nettoergebnis 2022 14 Mio. 12,98 Mio. Nettoergebnis 2023 22 Mio. 20,39 Mio. EV / Sales 2022 7,72 x
Nettoliquidität 2022 55 Mio. 50,99 Mio. Nettoliquidität 2023 52,79 Mio. 48,94 Mio. EV / Sales 2023 9,1 x
KGV 2022
18,2 x
KGV 2023
17,7 x
Beschäftigte 54
Rendite 2022
7,34 %
Rendite 2023
4,82 %
Streubesitz 98,67 %
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Manager TitelAlterSeit
Chief Executive Officer 66 01.01.01
Director of Finance/CFO 38 01.09.22
Chief Tech/Sci/R&D Officer 48 01.01.03
Aufsichtsräte TitelAlterSeit
Chairman 81 01.01.99
Director/Board Member 64 01.01.04
Director/Board Member 78 07.08.14
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26.03.24 85,02 -1,31 % 12 141
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verzögerte Kurse Nasdaq, Am 28. März 2024 um 20:36 Uhr

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Die NVE Corporation entwickelt und vertreibt Geräte, die Spintronik nutzen. Spintronik ist eine Nanotechnologie, die sich auf den Spin von Elektronen stützt, um Informationen zu erfassen, zu speichern und zu übertragen. Das Unternehmen stellt spintronische Produkte her, darunter Sensoren und Koppler, die für die Erfassung und Übertragung von Daten verwendet werden. Das Unternehmen hat auch seine spintronische magnetoresistive Direktzugriffsspeichertechnologie (MRAM) lizenziert. Die Teile des Unternehmens werden hauptsächlich in industriellen, wissenschaftlichen und medizinischen Anwendungen sowie im industriellen Internet der Dinge eingesetzt. Zu den Produkten des Unternehmens gehören Sensoren, Koppler und MRAM-Produkte. Die Sensorprodukte des Unternehmens messen die Stärke oder den Gradienten von Magnetfeldern und werden häufig zur Bestimmung von Position oder Geschwindigkeit eingesetzt. Die spintronischen Koppler kombinieren ein Sensorelement mit Riesenmagnetowiderstand (GMR) und eine mikroskopische Spule. MRAM nutzt die Spintronik zum Speichern von Daten. Er kombiniert die Geschwindigkeit des statischen Direktzugriffsspeichers (SRAM), die Dichte des dynamischen Direktzugriffsspeichers (DRAM) und die Unveränderlichkeit des Flash-Speichers.
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